時間：2023-05-31 09:09:25
開篇：寫作不僅是一種記錄，更是一種創造，它讓我們能夠捕捉那些稍縱即逝的靈感，將它們永久地定格在紙上。下面是小編精心整理的12篇集成電路，希望這些內容能成為您創作過程中的良師益友，陪伴您不斷探索和進步。
單端和全差分輸入微功耗10位150ks/s ADC ASl528是一款10位超低功耗單通道全差分A/D轉換器，ASl529是雙通道單端超低功耗A/D轉換器。它們在150ks/s最高采樣速度下功耗也低于350 u A(3V)。自動關斷功能可使器件存轉換之間進入休眠模式，從而顯著降低較低在采樣速度下的功耗。在采樣速度降至100ks/s時，功耗可降至245 μA(3V)。如果在幾乎靜止的1ks/s采樣速度時，功耗僅為2.5/μA，而關斷期間僅為200nA。
austriamicrosystems
電話：0512-6762-2590
省略
本地數字溫度傳感器 TMP102采用SOT563封裝，包含引腳的高度僅為0.6mm。它在工作模式下的最大靜態電流僅為10 μA，關斷模式下的最大電流僅為IμA；電源電壓范圍為1.4～3.6V，因此可充分利用目前的1.8V電源總線，有一個地址引腳，與SDA與SCL配合使用可生成四個不同地址，這樣就能在同一SMBus上支持多達四個TMP102傳感器。該傳感器還具備SMB報警功能。
通常情況下，TMP102在-25～+85℃溫度范圍內的誤差可精確至0.5℃。該傳感器支持12位精度，測量精度可達0.0625℃。
Texas Instruments
電話：800-820-8682
省略
2.4GHz與1GHz以下RF片上系統解決方案
CC2510與CC1110集成了RF收發器(CC2500與CC1101)、業界標準增強型8051微控制器、8/16/32KB系統內可編程閃存，1/2/4KB RAM以及其他功能一所有這些都包含在6mm×6ram 36引腳QLP封裝中。其他功能還包括最低功耗模式下的300nA睡眠電流、嵌入式128位高級加密標準(AES)安全協處理器、良好的接收機選擇性與阻塞性能、高靈敏度、高達500kB的可編-程速率以及2.0～3.6V的寬范圍電源供應。
Texas Instruments
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支持數字擴音器的立體聲音頻編解碼器
四通道TLV320AlC34、TLV320AIC33以及TLV320AIC3106立體聲編解碼器既能接收來自數字擴音器的數字位流，也能接收來自傳統模擬擴音器的差動或單端輸入。除了能直接連接于數字擴音器外，新型編解碼器還有如下特點：支持8～96ks/s的采樣率；數模轉換與模數轉換的信噪比(sNR)分別達到了102dB與92dB；集成鎖相環(PLL)，支持各種音頻時鐘；支持便攜式系統的低功耗耳機、揚聲器以及回放模式；可編程數字音效，包括3D音效、低音、高音、EQ以及去加重等。
Texas Instruments
電話：800-820-8682
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單芯片TFT液晶顯示驅動器
SSD2220能支持240×432(WQVGA)分辨率的移動設備TFT液晶顯示器。其有多個獨特之處，如多次編程以供電壓校準、分離RGB伽瑪校正以提升顯示表現，以及電荷分配科技。它可提供262K的真彩色及64個中度電壓水平以產生灰階效果。其他特點：行動產業處理器接口(MIPI)，并只須四條信號線，動態背光控制(DBC)，支持同樣的WQVGA解像度TFT液晶顯示器；pad坐標(pad coordinates)設計。
晶門科技
電話：0755-8616-9900
省略
雙穩態顯示驅動控制器
SSD1623支持96段及一個通用輸出，以直接驅動顯示器，其內置的直流電壓轉換器可將低電壓升至38V。主要特點：靈活的驅動波形，科應對不同顯示需求；內置振蕩器；提供串行(SPI)微控制器(MCu)接口，以供輸入數據及指令；供應類型包括裸芯片、凸出式金屬接點芯片(gold bump die)及COF封裝。
晶門科技
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DUAL SLANT 45 WlMAX基站天線
這種天線完全符合歐洲電信標準協會(ETSI)的EN 301.525 CS圖形規范的要求，它的性能一致而且可靠。
新型天線的工作頻率范圍是2.3～2.省略
省略
超高性能立體聲數字模擬轉換器 WM8741可提供128dB的信噪比(單聲道)，獨有高級數字濾波器選擇功能。其通過低階調制器和多位數字模擬轉換器(DAC)架構，可獲得較低的頻段外噪聲和世界級的線性度，從而提高聲音質量。WM8741采用一個完全差分市體聲音頻DAC系統，帶有一系列音頻接口選項，可用于SACD和CD回放的連接。該系統包括1個抖動數字內插值濾波器、精細分辨率音量控制和數字去加重、1個多位∑－調制器以及帶有差動電壓輸出的開關電容多位電路級。 歐勝微電子
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高精度可編程延遲線
DS1124是5.0V、8位可編程延遲線，具有3線串行接口，可級聯多個器件實現多級可編程延遲。器件具有0.25ns的標稱延遲步進，O級的延遲為20ns，而255級的延遲為83.75ns。在工業級溫度范圍內，DS1124具有±3ns的積分非線性(INL)―或稱為與0級和255級兩點所連成的直線的最大偏離值。
DS1124可延遲最高12.5MHz的信號，工作在4.75～5.25V的電壓下，采用10引腳μMAX封裝，規定工作在―40~+85℃工業級溫度范圍。
Maxim
電話：010-6211-5199
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超小半/全雙工Rs-485收發器
MAX13181E和MAXl3184E采用2ram×2ramμDFN封裝，相比現有RS-485收發器尺寸可節省50％的電路板空間。其內置增強型±15kV ESD保護(人體保護模型)、上拉/下拉電阻以及1/8單位負載接收輸入阻抗，因此可在總線上掛接最多256個收發器。MAXl3181E/MAXl3182E具有擺率受限的驅動器，可降低EMI并在強輻射噪聲的環境中實現最高500kbps的無誤碼傳輸。另外，MAX13183E/MAXl3184E還具有全速驅動器，可實現高達16Mbps的數據速率。該系列可工作在40～+85℃擴展級溫度范圍，器件采用10引腳“DFN封裝。
Maxim
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安全非易失sRAM控制器
當檢測到篡改事件時，DS3605快速擦除該外部SRAM上的密鑰。為了進一步提高安全性，該器件還集成了實時時鐘(RTC)、電池備份控制器、系統電源監視器、CPU監控器、溫度傳感器以及四路通用篡改檢測比較器輸入。
DS3605還具有四路通用篡改檢測比較器輸入，用了連接各種篡改檢測機械裝置。發生主電源掉電時，DS3605將立刻切換到外部電池供電，以保持篡改電路有效。該器件還可以連續監視基底溫度以及晶體振蕩器。一旦發生篡改事件，器件隨后將記錄并保存該時間，以便日后分析。
Maxim
電話：010-6211-5199
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采用3mm×2mill封裝的PC ADC LTC2453在2.7～5.5V的單一電源范圍內工作，能夠測量高達±Vcc的差分輸入。性能特點：50nA動態輸入電流：3mm×2mm DFN封裝；2LSBINL、無漏碼：4LSB滿標度誤差；2.7～5.5V單電源工作；1.4 u VRMS轉換噪聲；在60Hz輸出變化率時為800uAt在1Hz輸出變化率時為15uA,0.省略
省略
纖巧低成本軌至軌放大器 LTC6087和LTC6088采用纖巧DFN封裝，實現了最大750uV的失調電壓、14MHz GBW和lpA偏置電流，同時每放大器最大僅消耗1.25mA電流。LTC6087和LTC6088還提供最低93dB PSRR，136dB的大信號電壓增益確保增益線性度。
其他特點：偏壓漂移：最大值為5u/℃；最大輸入偏置：lpA(25℃時的典型值)。
40pA最大值(TA≤70℃)大信號電壓增益；典型值為135dB,增益帶寬積為14MHz,CMRR最小值為70dB,PSRR最小值為93dB；0.1～10Hz噪聲：5.8uVp-p；電源電流1.3mAl軌至軌輸入和輸出；單位增益可穩定；2.7～5.省略
省略
針對802.11n Wi―Fi產品的射頻構建模塊SE2537L是一款5GHz功率放大器，而SE258lL則是2.4GHz功放。SE2537L和NSE2581L的組合解決方案集成了一個數字接口，可免除昂貴且耗電的模擬參考電壓。SE2581L的集成式功率檢測器為5GHz輸出線的耦合信號提供了一個輸入端口，從而讓雙頻帶可以共享一個檢測器輸出端口。 基于SE2537L及SE2581L的系統可達到+20dBm/2.5GHz和+19.5dBm/5GHz。SE2581L是SE2527L器件之功能增強版本，同樣也包含了一個動態范圍20dB的集成式功率檢測器。由于這種高性能可在更大的覆蓋距離內優化更高數據率的傳輸，因此系統可以支持新興的802.lln應用。
SiGe Semiconductor
電話：00852-3428-7222
省略
PcIe交換解決方案
這四款PCIe交換解決方案分別為24通道、6端口，24通道、3端口，6通道、6端口，以及4通道、4端口。每個交換解決方案都有一個用于器件測試和分析，以及系統仿真的專用評估和開發套件。每個套件包含一個代表上行和下行連接的硬件評估板，以及一個IDT開發的基于GUI的軟件環境，有助于設計師調節系統和器件配置來滿足系統要求。這些PCIe交換器具有良好的每瓦性能，以及為批量和價值服務器市場優化的功能。
IDT
電話：021-6495-8900
省略
具有溫度切換功能的恒溫輸出IC
該產品有兩個系列，一個是檢測中心溫度及其上+5℃、其下-5℃共3級可切換的BDEXXXOG系列(漏極開路輸出、低電平有效)；另一個是檢測中心溫度及其上4級(每增加25℃為一級)、其下4級(每降低25℃為一級)，共9級可切換的BDFXXXOG系列(漏極開路輸出、低電平有效)。
性能特點：檢測溫度中心及+5℃和-5℃共3級可切換BDEXXXOG系列，檢測溫度中心及+2.5"C、+5℃、+7.5℃+10℃、2.5℃、-5℃、-7.512、-10℃共9級可切換BDFXXXOG系列。溫度檢測精度為±4℃，工作電流為16A；檢測溫度滯后：標準10℃；漏極開路、低電平有效。
羅姆電子
電話：021-6279-2727
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具有片上CAN和EEPROM的8位MCU系列
SO8D系列是集成了控制器區域網絡(CAN)接口、電子可擦拭可編程只讀內存(EEPROM)和片上仿真/調試工具的8位MCU。嵌入式CAN接口為眾多汽車和工業控制應用提供理想的連通性解決方案，而嵌入式EEPROM則通過實現數據的輕松寫入和擦拭，無須外部串行EEPROM，從而提高了系統
設計靈活性。具有片上調試功能的集成-開發工具能夠讓設計人員進行實時快速調試，實現產品快速面市。每一種集成功能都可以在-40～125℃的整個汽車溫度范圍內正常使用。 Freescale Semiconductor 電話：800-990-8188 省略
單電源多路復用器 ISL5945l和ISL59452是用于高端消費視頻產品的單電源、緩沖的三重4:1多路復用器。ISL59451具有集成的直流恢復功能，ISL59452專為交流耦合系統而設計。 ISL59451和ISL59452的特性包括：帶寬250MHz；針對要求雙端負載的多種應用，此器件能夠驅動150Ω視頻載荷，減少反射；亞像素轉換率可以實現無像素損耗的視頻信號轉換，輸出增益可在x1或x2之間選擇；可支持高阻抗輸出；采用帶散熱片的緊湊的QFN封裝，非常適于當今空間受限的消費類產品應用。
Intersil
電話：021-6335-1198
省略
用于移動設備的低功耗HDMI發射器 VastLane HDMI發射器Sii9022與Sii9024顯著地降低了功耗，同時提高了移動設備的可靠性與電池壽命。Sii9022發射器的特別設計可將HDMI的優越性能用于更小的移動設備之上。Sii9024發射器將用于移動設備，進行優質內容的傳輸，并與一個集成的高帶寬數字內容保護(HDCP)引擎和鑰匙相結合，從而使內容可以在采用了HDMI的設備間安全傳輸。Sii9022與Sii9024均可提供85MHz與165MHz的速率。
Silicon Image
電話：0755-8347-5885
省略
低功耗MCU為便攜式醫療診斷設備提供完整信號鏈 MSP430FG4270微控制器能為手持式醫療應用提供完整的信號鏈，同時促使價格進一步降低。大容量片上存儲器與全系列集成模擬外設有助于盡可能降低組件成本，縮小系統占用空間，理想適用于多種便攜式應用，如個人血壓監控器、肺活量計、搏動器以及心率監控器等便攜式應用。 MSP430FG4270的16位RISC架構能夠優化性能，延長電池使用壽命――這是便攜式應用設計人員最關切的問題。片上功能集成了多種組件，其中包含一個支持內部參考與5個差動模擬輸入的高性能16位∑一型ADC、一個12位DAC、兩個可配置的運算放大器、一個16位計時器和多個16位寄存器等。
Texas Instruments
電話：800-820-8682
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內含直流轉換控制器的單端口PoE接口器件
內含直流轉換(DC/DC)控制器以支持以太網供電設備(PSE)的單端口雙功能以太網供電(PoE)控制器Si3460把兩種功能集成至單顆芯片，協助設計人員大幅簡化開發工作量、降低系統成本和避免兼容性問題，適合家庭網關、機頂盒和VoIP系統等新出現的PoE應用。
Si3460支持高速(10/100Mb/s)和吉比特以太網端點裝置及中跨設備(midspans)，并能通過管腳設置以輸出最大功率(15.4W，Class 0)給PSE設備，或將輸出功率限制在IEEE第1到第3類設備的規定范圍。
Silicon Laboratories
電話：021-6237-2233
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用于智能卡的90nm內置閃存的安全型微控制器
用90nm制造工藝的內置閃存的安全型微控制器ST21F384是ST的ST21智能卡平臺內的一款安全型微控制器，是為2.5G和3G移動通信優化的產品。
ST21 F384的內核是一個8/16位CPU，線性尋址寬度16MB，典型工作頻率21MHz。芯片內置7KB用戶RAM存儲器，以及128字節頁而的384KB閃存，耐擦寫能力與早期安全微控制器的EEPROM存儲器相當。電流消耗完全符合2G和3G的電源規格，達到了(U)SIM的應用要求。該微控制器含有一個硬件DES(數據加密標準)加速器和用戶可以訪問的CRC(循環冗余代碼)計算模塊。
STMieroelectronics
電話：010 5984-6288
省略
適合智能動力傳動應用的4KbFRAM存儲器
3V、4Kb并具有串行外設接口(SPI)的FRAM器件FM25L04-GA現符合Grade 1AEC-Q100的規范要求，可在40~+125℃的汽車工作溫度范圍內工作。
這款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM產品的直接硬件替代產品，但功能更強，具有高速的寫入能力、幾乎無限次的擦寫，以及低工作電流。FM25L04-GA可以在高達10MHz的總線速度下進行讀寫操作，并具有先進的寫保護方案以防止意外的寫入與數據損壞。在+125℃時保證數據保存9000小時，在55℃時數據更可保存17年，在汽車溫度范圍內并以3.0V電壓運行。
RAMTRON
電話：010-8263-8571
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超小型RS-485/RS-422單發射器
ISL329xE系列3.3V電源供電的RS-485/RS 422單發射器具有出色的±16.5kV ESD保護和超低電源電流要求。
該系列發射器的靜態電源電流(ICC=150uA，最大值)很低，從而在功耗關鍵型應用領域取得了重大改進。此外，所有器件均具有Tx使能引腳，該引腳將IC置于低功耗關閉模式(ICC=luA，最大值)來在發射器被禁用的時候進一步將低功耗。
一般暴露在外界的發射器輸出上的高級ESD保護，以及125℃的工作溫度和TDFN封裝選項的增強型散熱性能彰顯了這些器件的強勁性能。加之1SL328xE系列單RS-485/RS-422接收器，用戶可以構建小型、高度可靠的串行通信端口。
Intersil
電話：021-6335-1198
省略
便攜設備用記憶卡接口芯片
高集成度的微型記憶卡接口芯片EMIF06-SD02F3采用IPAD(有源和無源器件集成)技術，內置可插拔SD(安全數字)記憶卡接口所需的五個基本功
能，適用于帶有SD接口的手機、GPS導航設備、數碼相機等各種消費類和工業類產品。該收發器集成了信號調節，雙向電平轉換、ESD(靜電放電)保護、EMI(電磁干擾)過濾單元和一個2.9V穩壓器。
該芯片符合標準的和高速SD接口協議標準，以及MiniSD、MMc和uSD/TransFlash標準。此外，該芯片還提供6個高速雙向電平轉換器，它們的工作頻率50MHz，典型傳播延遲3ns，能夠把2.9V的記憶卡連接到1.8V主處理器。
STMicroelectronics
電話：010-5984 6288
省略
用于摩托車引擎控制的32位MCU
32位的XC2700系列微控制器適合摩托車電子引擎裝置，并滿足即將頒布的排放標準要求。 XC2700系列以C166SV2高性能微控制器內核為基礎，可在80MHz的頻率下，通過66MHz五級管線提供單周期執行。它還集成了內存、穩壓器和接口等關鍵外設，以降低系統總體成本，而且該全新的微控制器系列可以采用現有的C166SV2開發軟件，使該系列成為經濟高效的解決方案。 Infineon Technologies 電話：021 6101 9000 省略
用于北美LCD數字電視的單芯片LSI RSJ66954BG可以實現北美LCD數字電視的主要信號處理功能的，包括從前端信號輸入到后端，如LCD面板的信號輸出。 芯片功能主要包括：MPEG解碼處理電路；降噪電路(從模擬視頻信號檢測和提取噪聲成分以防止屏幕閃爍等的電路)；去隔行掃描電路；Y/C分離電路(分離亮度和色度信號的電路)；數據限幅器功能(諸如隱藏式字幕譯碼功能)；作為LCD面板控制功能的色彩管理NCM。
Renesas Technology
電話：021-6472-1001
省略.省略
增強性能16位安全MCU
用于需要高級別安全性智能卡應用領域的RS-4系列16位安全MCU可用于銀行或信貸公司發出的信用卡或借已卡和身份證。
RS-4系列保持了與其上一代產品的CPU指令代碼的兼容，而且可以實現大約五倍的處理性能，能夠以高速執行復雜的處理，可以更快地運行如JavaCard或MULTOS的多應用操作系統(OS)，這對在單張智能卡上實現多種功能是非常必要的。此外，其低功耗設計使之適用了非接觸操作。RS-4系列有助于開發人員使用一個16位MCU實現高性能和多功能的接觸式或非接觸式智能卡。
RS-4系列的RS-4CPU內核采用一種新開發的用于安全MCU的專有架構。它有一個16位算術單元和一個16位內部總線。RS-4CPU內核支持較早的代碼級兼容的瑞薩AE-416位CPU內核的整個指令集。與AE-4系列相比，RS-4系列旨在提供更高的性能、增強的安全性，以及改善的靈活性的更多的外設功能。RS-4系列的特性概括如下。 Renesas Technology 電話：021-6472-1001 省略.省略
元器件與組件
PPTC電流過載保護器件 picoSMD035F器件是最小的PPTC電流過載保護器件，尺寸為2012mm，符合EIA標準的要求。它的額定電壓是6V，保持電流為O.35A，觸發電流為0.75A，最大電阻值為1.4Ω。這種器件符合安全機構頒布的標準，其端子涂敷了鎳金，因而可焊接性極好。它也符合RollS法規的要求。
泰科電子(上海)有限公司
電話：021-6485 7333
省略
晶閘管浪涌保護器件
44款新的NPxxx器件是大浪涌電流TSPD，保護電壓范圍是64～350V，提供額定浪涌電流為50、80和100A等不同版本；可限制電壓，并將浪涌電流轉移至地。它們屬于雙向保護器件，因此能夠在一個封裝中提供兩個器件的功能，節省出電路板空間。基本上，這些器件在過壓發生時進行“消弧”一將可能帶來潛在損傷的電能轉移出敏感電路或器件。一旦瞬態過壓狀況過去，這些器件就會恢復到它們正常的“關閉”或透明狀態，并且無形地在電路正常工作中發揮功能。這些TSPD沒有耗損特性，在快速瞬態情況下提供穩定的性能特征，確保設備可靠持續地操作。 ON Semiconductor 電話：021-5131 7168 省略
基于siGec BicMOs工藝的微波NPN昌體管 BFU725F微波NPN晶體管基于SiGeC BiCMOS工藝，具有高開關頻率、高增益和超低噪聲等多重特點，適用于各種RF應用。超低噪聲可以改善各種無線設備(例如GPS系統、DECT電話、衛星無線電設備、WLAN/CDMA應用)中靈敏的RF接收器的接收效果，而超高斷開頻率則可以很好地滿足運行頻率在lO～30GHz內的各種應用(例如衛星低噪聲電路模塊)的需求。BFU725F符合RoHS標準，可達到極低的噪聲(1.8GHz0.43dB/5.8GHz時0.7dB)和很高的最大穩定增益(1.8GHzN27dB/180Hz時10dB)。
NXP Semiconductors
電話：010-6517-2288
SCn.省略
可單獨控制紅色、綠色及藍色的LED芯片
高亮度VLMRGB343..提供了高達285mcd(紅色)、560mcd(綠色)及200mcd(藍色)的光強度，可針對苛刻的高效應用單獨控制紅色、綠色及藍色LED芯片，專門針對汽車與運輸、消費類及普通應用中的背光及照明進行了優化。該器件為黑色表面，可與所有視頻標準兼容，其采用占位面積為3.2mm×2.8mm、厚度僅為1.8mm的小型PLCC-4封裝。 VLMRGB343..省略
省略
電源
低功耗系列電壓基準產品系列
REF33xx是5uA低功耗系列電壓基準產品，具備高精度(最大±0.15％)、低溫度失調(最大30ppm/C)、低噪聲(輸出28uVpp/V)、±5mA的穩定輸出驅動電流以及SC70-3封裝(比SOT23小40％)等多種特性。
該系列提供6種輸出電壓：1.25V(REF3312)、1.8V(REF3318)、2.048V(REF3320)、2.5V(REF3325)、3.0V(REF3330)以及3.3V(REF3333)。在具體負載情況下，這些器件還能在高于輸出電壓110mV的電源電壓下工作，REF3312除外，它要求1.8V的最小電源電壓。該系列的所有型號均可在40～+125℃的寬泛工業溫度范圍內工作。
Texas Instruments
電話：800-820-8682
省略
MR16兼容式LED射燈專用芯片組
該芯片組能夠把現有解決方案的元件數目減少多達50％，大幅減少燈頸部分印刷電路板的尺寸和重量。這款高集成度的MRl6芯片組可以提供所有相關的功率整流、LED電流控制和保護功能。MR16是鹵素反射燈的標準格式，目前在各種家居、零售或辦公室環境中的方向性照明應用中得到了廣泛采用。以LED制成的不同類型電燈設備，不論在效率和可靠性方面皆得到顯著改善。
Zetex Semiconductors
電話：852-2610-7932
省略
16位12C LED調光器
CAT9532為背光和RGB混色應用提供驅動16個并聯LED的能力，并同時提供256繳調光的功能。這個器件也可以單獨開啟，關閉或閃爍每個LED(閃爍頻率有兩種可編程方案可選)，此外，該器伴還可以通過laC或SMBus接口實現傳感器控制，電源開關，開關按鈕和狀態指示照明等功能。
產品特性：16個漏極開路輸出，每路驅動電流為25mA；兩種可編程閃爍頻率：頻率為0.593～153Hz，占空比為O％～99.6％；I/O町被用做通用I/O口；兼容400kHz I2C總線規范；24引腳SOIC，TSSOP或者24焊點(pad)TQFN封裝(尺寸為4mm×4mm)。
Catalyst
電話：021-6249-1349
省略
高度集成照明管理IC MAX8830無須獨立的控制IC，內置四路10mA電流調節器，適合于顯示背光或指示信號應用的LED驅動。LED亮度可通過VC接口分32級獨立調節。它還集成了低壓差(75mV，典型值)200mA閃光燈電流調節器，允許用戶通過I2C接口獨立編程16級電影和閃光燈模式。可編程閃光燈安全定時器可防止由于閃光燈長時間導通引起的手指燒傷或LED損壞。相機模塊可以采用簡單的邏輯引腳直接控制閃光燈模式，而電影模式可以通過邏輯控制或I2C按口使能。280mA升壓轉換器同時集成了開關MOSFET和整流管。
MAX8830可自動檢測開路和短路LED，并可通過12C接口讀取該狀態。其他功能還包括DC/DC轉換器的過流保護、過熱保護，同時還可以工作在－40+85℃擴展級溫度范圍。
Maxim
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省略
高電壓、高亮度LED驅動器
MAX16812集成了高壓側/差分LED電流檢測放大器以及PWM調光MOSFET驅動器。此外，該器件還內置76V額定、0.2 Ω開關MOSFET，具有寬達100～500kHz的工作頻率范圍。MAXl6812工作在5.5～76V電源電壓范圍，可滿足冷啟動和甩負載應用。它具有過壓保護、欠壓鎖定、軟啟動以及熱關斷；規定工作在-40-+125℃汽車及溫度范圍，采用熱增強型5mm×5mm、28引腳TQFN封裝。
Maxim
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省略
針對移動設備的低噪聲開關穩壓器
AAT2120和AAT2158的功率轉換效率分別為96％和95％。AAT2120可提供高達500mA的輸出電流，而AAT2158可為需要更高水平電能的應用提供高達1.5A的輸出電流。兩款器件的輸入電壓范圍均為2.7～5.5V，并支持提供低至0.6V的輸出電壓。為增強保護性能，這兩款降壓轉換器都提供內部軟啟動、過溫和限流保護電路。這兩款新型降壓轉換器還通過增加100％占空比低壓降操作，延長系統的運轉時間。
AnalogicTech
電話：010-5162-7271
省略
雙轉換速率可控負載開關
AAT4282A支持運行在1.5-6.5V輸入范圍內的3V和5V系統，其靜態電流僅為1uA。輸入邏輯電平為晶體管晶體管邏輯(TTL)或2.5V到5V互補金屬氧化物半導體(CMOS)兼容。
AAT4282A可提供帶有不同開與關特點的三個版本。其中，AAT4282A―l是一款帶有轉換速率限制的負載開關，AAT4282A-2具有少于500ns的開啟速度和低于3us典型電流值AAT4282A-3添加了最小轉換速率限制開啟功能和一個關閉輸出放電電路，當開關損壞時可迅速關閉電路。
AnalogieTech
電話：010-5162-7271
省略
升降型DC/DC微型模塊穩壓器 LTM4605在15mm×15mm×2.8mm焊盤網格陣列(LGA)塑料模制封裝中集成了同步升壓－降壓型DC/DC控制器，4個N溝道MOSFET、輸入和輸出旁路電容器以及補償電路。該器件只需要一個電感器、反饋和檢測電阻以及大容量電容器就可實現非常扁平、緊湊和高效率的設計。性能特點：單電感器降壓－升壓型架構；同步4開關工作實現高效率(高達98％)寬輸入電壓范圍：4.5～20V；寬輸出電壓范圍：0.省略
省略
單/雙/四/八通道精準電壓監視器
LTC2910，LTC2912、LTC2913和LTC2914在汽車溫度范圍內都具有±1.5％的門限準確度，可以準確監視單通道負載點或多通道應用。性能特點：8個低壓可調輸入(LTC2910)；4個UV/OV正/負可調輸入(LTC2914)；兩個UV/OV可調輸入(LTC2913)；1個UV/OV可調輸入(LTC2912)；保證門限準確度：±1.省略
省略
共陽電流模式高亮度LED驅動器
LM3433可以輸出負恒定電流來驅動高功率高亮度的LED，設有兩種調節LED亮度的電流控制模式。模擬電流控制模式可以利用輸入信號調節電流，以便為不同品牌的LED提供補償。另一電流控制模式利用邏輯電平調光控制輸入信號，以PWM的控制方式控制LED的亮度。PWM的控制模式利用并行開關將LED連接一起，令PWM調光控制頻率可以高達40kHz。這款芯片還具備過熱停機保護、VCC欠壓鎖定及邏輯電平停機模式等其他功能。
National Semiconductor
電話：021-5206-2288
省略
內置電壓參考電路的微功率比較器
LMP7300的偏置電壓只有300uV，而供電電流只有10uA。其供電電壓為2.7～12V，最適用于3.3V、5V及±5V的系統。此外，這款芯片又可提供2.0～48V的參考電壓，而且誤差不超過0.25％，這樣準確的參考電壓最適宜用來監控輸入電壓。這款比較器的傳播延遲時間不超過5ms，因此可以快速檢測信號，而且準確度極高，功耗也極低。
National Semiconductor
電話：021-5206-2288
省略
用于LCD面板的LED驅動器
CAT4139升壓轉換器提供高達750mA的切換電流，可驅動高達22V的LED串，是數字相框與其他新興的需要多達40個LED作背光的應用的理想選擇；使用固定頻率(1MHz)的切換電路架構；內建高壓CMOS輸出級，可在低輸入電壓狀態下精確驅動5個串聯的LED(輸出電壓可達22V)，轉換效率高達87％。
為了抑制上電時產生的浪涌(in-rush)電流，CAT4139集成了軟啟動控制電路。針對LED開路損壞的情況，片內的過壓保護電路通過限制芯片的輸出電壓來強制芯片進入低功耗模式，無須任何額外器件。上述的兩個特性已被完全整合在芯片內，不需增加外部組件和相關成本，還節省了電路板空間。
Catalyst
電話：021-6249-1349
省略
9μVRMS超低噪聲LDO ASl358/59/6l/62系列可在2-5.5V電源F工作，其在150mA時的低壓降電壓為70mV，在300mA時為140mV(僅ASl359/62)，工作時的電流僅為40uA，關斷時僅為9nA；可提-供1.4 4.5V范圍的預設輸出電壓，在300mA下的輸出電壓精度可達到1％；具有電源工作正常輸出功能，當輸出電壓降至規定范圍以外時會發出提示信號，導通時間僅為300μs的數字引腳有助干實現系統級的動態電源管理；具有過熱和過電流保護功能。該系列有150mA(AS1358/61)和300mA(ASl359/62)兩種輸出電流供選擇，可為各種應用提供足夠的功率。
ausiriamicrosystems
電話：0512-6762-2590
省略
具有ESD保護的DC-AC轉換器
MAX4990E高壓、±15kV ESD保護、DC-AC轉換器專門設計用于驅動電致發光(EL)燈。該器件采用基于電感的boost轉換器，可產生250Vp-p(最大值)的高電壓，實現最大的EL燈亮度。高壓全橋輸出將這一高電壓轉換為驅動EL燈所需的交流波形，為實現最大的設計靈活性，MAX4990E具有可減少音頻噪聲的電阻可調擺率控制，電容可調的開關頻率，以及多種選項用于控制出電壓。該器件適合用于MP3播放器、PDA、智能電話以及其他需要照明、高效率其至背光的應用。
Maxim
電話：010-621 1-5199
省略
符合VID標準的PWM控制器
ISL884xA是一系列的六個獨特脈寬調制(PWM)控制器，在30V的電壓下以2MHz的開關頻率進行工作。ISL6420BMAEP是一款單獨同步降壓PWM控制器，它具有寬的輸入電壓范圍-(4.5～28V)，寬輸出電壓范圍(0.6～17.5V)，并能夠處理極寬的極度軍事溫度范圍。
Intersil
電話：021-6335-1198
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帶PWM調光功能的白光LED驅動芯片系列
SB4251l，SB42520和SB4282的輸入電壓為6～25V，輸出電流可達1A；內置溫度保護電路，限流保護電路和PWM調光電路；在串接多個LED時的效率可以達到95％以上，可以進行PWM調光，通過外接PWM信號調整LED的輸出電流，在100Hz～2kHz范圍內可以達到良好的調光效果；另外，SB42511、SB42520芯片內部的自舉電路采用獨特的控制方法，不需要外接肖特基，在串接多個LED時也可以啟動，這相對干采用自舉方式工作的其他同類產品在性能上有了很大的提高。SB42821采用恒關斷控制技術，不需要進行環路補償，所需元器件少。此外，SB42821和SB42520內部還集成了使能功能，在關斷狀態下，靜態電流只有25μA。
杭州士蘭
電話：0571-8821 0880
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測試和測量
萬兆以太網線外串擾測試套件
萬兆以太網(10GbE)線外串擾測試
套件LANTEKl0GBKIT符合國際測試標準，配合LANTEK 6A和LANTEK7G線纜認證測試儀實現線外串擾測試功能。線外串擾(Alien Crosstalk)是在利用雙絞線傳輸遞增頻率時所產生的副作用，需要利用傳統方式以外的方法來進行測試以確保電纜之間的串擾不會妨礙10Gb正數據的傳輸。這款LANTEKl0GBKIT由一個雙接口線外串擾適配器和12個專用的線外串擾終端組成。雙接口線外串擾適配器支持單機測試，無須接入遠端機。利用這個套件及一個簡單的更新軟件，任何LANTEK 6A或LANTEK 7G線纜認證測試儀都可以升級以提供標準兼容的線外串擾測試。
Ideal Industries China LLC
電話：010-8518"3141
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具有MSO混合測試功能的虛擬示波器
RIGOL VS5000系列虛擬數字示波器實時采樣率高達400MS/s，等效采樣率50GS/s，存儲深度1M采樣點，可提供40MHz至最高200MHz帶寬的寬泛選擇，VS5000系列采用UltraZoom技術，結合16通道邏輯分析功能，可實現MSO混合測試。
RIGOL VS5000系列虛擬數字示波器突破了傳統示波器以硬件為主體的模式，將日益普及的計算機技術與傳統的儀器儀表技術結合起來，使用戶在操作計算機時，可以全屏幕清晰顯示數據/波形，可以方便靈活地完成對被測設備的采集、分析、判斷、顯示及數據存儲等工作。
VS5000系列虛擬數字示波器設計優秀，體積小巧，凈重僅0.7kg。采用鋁鎂合金精密加工的外殼結實、耐用，更完全解決了普通塑料外殼抗干擾性差的缺點。與一些常見的工業板卡式虛擬儀器不同，Vs5000系列支持通用USB2.0高速接口和LAN接口，即插即用，可實現遠程控制，讓用戶的測試更加方便。
RIGOL
電話：010-8070-6688 省略
PXI Exptess定時與同步控制器
PXI Express系統定時擰制器PXIe-6672可以同步具有納秒精度的多個PXI Express系統。該控制器還便于同步配備GPIB、VXI和其他測量和儀器系統的PXI Express系統。該系統定時控制器生成的高精度的DC～105MHz時鐘能夠將儀器定時在精確的時鐘頻串上，并具有高穩定性的TCXO參考時鐘。工程師可通過控制器中內外部時鐘和觸發的板載路由，完全控制PXI觸發總線、星狀觸發線和系統參考時鐘。該控制器還可用于實現單個PXIExpress機箱中的復雜同步方案，是高通道數和高性能測試和測量應用的重要功能。
NI
電話：800-820-3622
省略
具備集成化GPS收發器的PXI同步模塊
PXI-6682能夠在GPS，IRIG(Inter-Range Instrumentation Group)和IEEE 1588上同步PXI系統。PXI-6682可提供GPS的時間、場所和速度，IRIG-B解碼和IEEE 1588同步。該模塊的設計針對大型物理對象(如：飛機和橋梁)和地理分布式系統(如：電源網絡和加速器)中測量或事件的時間標記和觸發。工程師還能將該模塊用做IEEE 1588網絡中的總開關。IEEE1588精度時間協議(P了P)的標準方式能夠同步以太網上的PXI、LXI和其他基于IEEE 1588的設備。另外，PXI-6682具有完整的PXI系統定時控制器功能，包括：控制PXI觸發總線、星狀觸發線和系統參考時鐘等能力。
NI
電話：800-820-3622
省略
覆蓋波長超過2μm的光譜分析儀
AQ6375光譜分析儀利用衍射光柵測量光譜，波長范圍覆蓋1200～2400nm，波長分辨率在0.05～2.0nm之間，最小接收靈敏度為-70dBm，并可在1s內完成對100nm的掃描。它可以對主要用于環境監測領域2μm波段半導體激光器進行測量，對改善近紅外半導體激光器的性能與擴展它的應用提供有效幫助，從而有助于解決環境監測過程中測量分辨率、測量速度、可操作性與維護等問題。1200～2400nm的波長覆蓋范圍使它不僅可以對激光吸收譜進行測量，也可以對1310mm、1550nm通信波段進行測量，不僅可以用于半導體激光器測量，還可以用于超連續譜(SC)光源的測量。
YOKOGAWA
電話：010-8522 1699
省略/cn-ysh
臺式數字萬用表
Fluke 8808A型臺式數字萬用表提供了5.5位的分辨率和多種測量能力，它具有一個雙參數顯示屏，用戶能夠同時測量兩個不同但相關的參數，其測量功能包括電壓、電阻、電流和頻率，其直流電壓基本準確度為0.01％。儀表采用了低阻抗輸入測量電路，能夠以100nA的分辨率測量小于200μA的小電流，并且被測電路不產生負載電壓。Fluke 8808A的2×4四線歐姆功能采用了專有的分隔端子插頭，用戶僅利用2根而非4根測試引線即可進行四線歐姆測量。通過可選的2×4測試線，就可以對微型表面貼裝元件進行精密的四線歐姆測量。
Fluke 8808A在前面板上提供了6個專用的功能設置按鍵，其功能類似于汽車收音機上的“預選”按鈕，操作人員可快速、簡單地執行測試程序。該儀器提供了具有“合格/不合格”指示的“高/低”限值比對模式，提供了測試一致性，可提高制造測試應用中的質量和效率。
Fluke
電話：010-6512-3435
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面向高速串行數據的13GHz測試方案
該13GHz測試系統由SDAl3000串行數據分析儀、D13000PS有源差分探頭和一套創新的調試和分析工具組成，由于13GHz的帶寬、40GS/s的采樣率及]OOMpts/ch的內存，SDAl3000可以在開發過程中調試極具挑戰性的物理層問題，為針對下一代串行數據標準執行一致性測試提供了完美的解決方案，如FB-DIMM、光纖通道、SAS、SATA、InfiniBand和PCI-Express。調試工具包括眼圖違規定位程序和1SI(碼間干擾)曲線，可以了解哪個位或哪種位組合導致的錯誤最多，其他工具包括PJ(周期性抖動)分類功能，幫助工程師了解給總
抖動帶來的周期性抖動最多的來源，Eye Doctor、Wavescan和8b/10b解碼和搜索等功能進一步增強了SDAl3000的串行數據解決方案。
LeCroy
電話：010-8280-0318
省略
Agilent UsB DAQ家族推出更多獨立型和模塊化解決方案
Agilent DAQ家族集多功能DAQ和數字輸入/輸出裝置于一體，既可獨立使用，也可作為模塊使用。當在Agilent U2781A模塊化主機中使用時，可擴展到384個通道。主機能裝入不同功能的模塊，從而幫助用戶實現各種裝置和應用的同步。
Agilent USB DAQ家族包括：Agilent U2500A系列同時采樣多功能DAQ裝置，它最適合對相位敏感的應用，Agilent U2300A系列多功能DAQ裝置，它提供每通道達3Mpts/s的高采樣率，最適合要求電參數和物理參數測量的機電應用，Agilent U2100A和U2600A系列隔離數字=輸入/輸出裝置，它最適合與各種傳感器及執行器一起工作，以實現完美的機器控制與自動化；Agilent U2781A6槽模塊化儀器主機為U2300，U2500和U2800系列模塊提供通道擴展，Agilent U 2802A熱偶輸入裝置與U2355A/U2356A DAQ模塊一起進行溫度測量。
Agilent Technologies
電話：800-810-0189
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M-Type 1GHz示波器使設計驗證更快捷
新推出的這兩款M-Type 1GHz示波器在1GHz帶寬儀器中提供了極高的信號保真度、完整的測量功能和優異的原始性能。每臺示波器標配完善的一系列分析工具，包括WaveScan高級搜索和分析功能、WaveStream快速查看模式和獨特的文件管理和報告編制工具LabNotebook。
M-Type示波器分成兩種型號：WaveSurfer 104 MXs和WaveRunner104MXi。WaveRunner MXi具有10GS/s的最高采樣率及12.5Mpts/ch的標配存儲器(采用通道復用時可以達到25Mpts/ch)WaveSurfer MXs在每條通道上提供了5GS/s的采樣率及10Mpts/ch的存儲器，此外，所有M-Type示波器都兼容選配的低速串行觸發，其解碼軟件可以幫助工程師使用易讀的透明重疊、搜索/放大功能和表格顯示功能，迅速分析I2C、SPI、UART、RS-232、CAN、LIN和FlexRay協議。
LeCroy
電話：010-8280-0318
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計算機及外設
PIC Express接口高速圖像采集卡PCle-RTV24
PCIe-RTV24是基于PCI Express技術的高速圖像采集卡，能提供PCIExpress×1傳輸速度、4通道輸出，與現有PCI接口完全兼容的軟件層。它具備4個獨立的圖像處理IC，模擬方式的圖像采集速度達到每通道每秒30幀，支持彩色RGB24、RGBl6與灰階圖像數字輸出格式，可讀取一般混合式模擬彩色(如：PAL、NTSC)或黑白(如：CCIR、EIA)視訊信號，并提供4CIF、CIF及QCIF等圖像分辨率格式，畫面不失真。在圖像功能之外，凌華PCIe-RTV24圖像采集卡還提供4個TTL(數字集成電路)輸出、輸入及Watch dog定時器，可用于燈源控制。
凌華科技
電話：010-5885-8666
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寬溫級微型主板
FixBoard-800E能夠在-40～+80℃寬溫級的環境中穩定運行。其支持1.8GHz的Intel Pentium M uFCPGA478CPU，也可搭配板載IGIIz的Intel超低電壓Celeron M CPU，FSB400MHz或1.4GHz的Intel低電壓Pentium M CPU；芯片組采用了Intel852GM+Intel ICH4，支持DDR200/266 SDRAM，最高IGB。
FixBoard-800E支持獨立雙顯示功能，顯示芯片為Intel852GM集成，最大支持64MB UMA顯存。LCD顯示可支持18/36 bit LVDS，最高分辨率為1400×1050，CRT顯示可支持分辨率1920×1440。
FixBoard-800E帶有6個USB2，0接口，2×RS-232/422/485接口，4×RS-232(通過子板SCDB-1293)，1×PCI，1×PC/104&PC/104Plus接口，方便用戶自行擴展多種外接功能組件。
ARBOR中國
電話：0755-8343-8567
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基于InteL core2 Duo的ETX模塊
ETX-NR667符合最新ETX3.02規格，增加了兩個SATA端口連接器，可以與早期ETX版本完全兼容。ETX-NR667的CPU可以為ULV IntelCeleron或者Intel Core2 Duo，ETX-NR667具備可支持高達2GB DDR2內存模塊的SODIMM插槽。圖形支持功能包括單或雙通道24位LVDS，AnalogCRT和電視輸出(SDTV and HD7V)，ETX-NR667提供一個雙端口SA了A控制器，同時支持一個10/100BASE-T以太網絡端口，一個PATA EIDE控制器，4個USB 2.0端口，2個串行端口，1個并行端口(SPP/ECP/EPP)，1個PS/2鍵盤，鼠標，1個AC97音效，以及電源管理功能。ETX-NR667可以支持PCI和ISA，其他嵌入式功能包含Watchdog控制器，RS-232終端以及CMOS EEPROM備份，以防BIOS設定在電力不足時數據失。
此外，ETX-NR667可支持windows XP，Windows XPEmbedded，Linux和Vxworks等軟件平臺。
凌華科技
電話：010-5885-8666
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軟件
面向DSP設計的ESL綜合流程技術
DSP軟件現在可支持FPGA器件，提供高級建模和硬件抽象，能轉為RTL的約束限制(constraint-driven)算法綜
合，以及為性能、占用面積和多通道化等特性提供系統性優化功能。DSP和FPGA架構的結合有助于設計人員輕松快速地捕獲多速率DSP算法。DSP還適用于無線算法設計，數字RF/IF處理、FEC(正向糾錯)與數字多媒體(音頻和視頻)加密以及高性能計算等開發FPGA應用。DSP的矢量支持功能可顯著簡化多通道無線算法，以及MIMO、視頻、雷達和安全應用等多天線算法的創建。通過這些新功能，用戶可以將復雜的無線算法(例如WiMAX、802.11a/b/g/n和DVB等標準)快速地描述、驗證以及實施到硬件當中。
Synplicity
電話：021-6426-7766
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用于高亮度LED設計的在線設計工具
WEBENCH在線設計工具可協助工程師快速篩選二百多款高亮度LED。采用這一系統設計工具，工程師鍵入設計所要求的大小和效率，就能模擬有關電路的動態特性進行模擬測試，例如啟動、穩態、脈沖寬度調制(PWM)光暗控制以及線路瞬態等。經過幾分鐘的最后微調之后，“建模快線”功能便會為用戶編列一份有關LED系統所需的物料清單，而且還可快速完成包含LED，個人電腦電路板、驅動器集成電路及無源元件在內的客戶定制化模型套件。
National Semiconductor
電話：021-5206-2288
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下一代Wind Rivet商用級Linux平臺
面向嵌入式設備軟件優化的下，代Wind River Linux平臺基于2.6.21Linux內核，為用戶提供一個采用eross-build架構環境的基于標準的Linux平臺，還專門為用戶提供了對64位應用的支持，包括能夠支持各種架構下用于內核和用戶空間調試的工具等，新的Wind River Linux平臺還增加了更多的BSP (B0ard supportPackages)支持，包括用于Wind RiverReal-Time Core for Linux的各種BSP等，新的平臺將提供一整套適用于未來商用級嵌入式Linux參考的行業標準。
Wind River
電話：010-6439-8185
httpp://省略
互聯網收音機參考設計
RadioPro是一款Wi-Fi互聯網收音機參考設計，它基于UniFi單芯片Wi-Fi技術。RadioPro無須PC即可通過Wi-Fi提供互聯網無線電廣播，并通過一個專門的互聯網無線電廣播門戶網站支持10000多個無線電臺，另外其軟件可升級。
RadioPro基于CSR公司的兩種低功耗芯片：一個是UniFi，它是CSR公司的單芯片Wi-Fi解決方案，另一個是多媒體應用處理器(MAP)，它是由RISe處理器、DSP和立體聲編解碼器高度集成的芯片。RadioPro利用CSR公司的UniFi-I芯片并通過Wi-Fi接入點來連接專門的互聯網無線電廣播門戶網站。RadioPro的低功耗設計可使一塊1500mAH的電池實現長達25小時的使用時間，從而實現真正的便攜式互聯網無線電產品。
CSR
Emaii：sales＠
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晶圓廠設計工具包FDK
Cadence Virtuoso技術有助于加速模擬、混合信號和RF器件的精確芯片設計。FDK能夠在設計中發揮UMe65nm工藝和Cadence Virtuoso平臺的高級功能，Cadence Virtuoso解決方案5和UMC的65nmRF FDK能夠對高速發展的IC市場中的設計師提供支持，例如無線通信等。這些技術為時下數字和混合信號設計前所未有的緊密結合提供了高級工藝。
Cadence公司
電話：010-8287-2200
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AMIS-49200參考設計和評估工具包
AMIS-49200參考設計和評估工具包使Fieldbus H1及Profibus PA用戶能夠將AMIS-49200介質連接單元(MAU)輕松整合進他們的設計中。
AMIS-49200參考設計和評估工具包符合基金會現場總線(FF)要求，在總線布線和實際測量裝置之間提供物理接口，針對工業流程自動化應用，尤其是基于FF規格FF-816(31.25Kb/s物理層輪廓規范)的FF H1設備Type 11l和Type112。FF是一種全數字雙向通信系統，用于本質性安全傳感器率計算機的應用。此種應用中，數據分布和傳輸、控制環路的完整及整合不同控制系統的能力非常關鍵。典型應用包括閉環連續控制、序批、高速流程自動化、信息整合、配方管理，數據采集、系統兼容及網絡整合。
AMI Semiconductor
Email：021-5407-6116
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低成本的CAP可定制微控制器入門級開發工具包
AT91CAP是一種基于微控制器的系統級芯片，內置了高速內存，帶有眾多外設和接口以及一個金屬可編程(MP)模塊。AT91CAP9A-STK入門包基于單一的PCB板，含有以AT9lCAP9SARM926EJ-S為基礎的微控制器，64MB SDRAM應用內存、512MBNAND閃存、高達8MB的DataFlash(選件)，并提供支持以太網、USB控制器和USB器件、帶觸屏功能的1/4 VGALCD顯示屏、SD卡，4個模擬輸入和耳機等的各種外部接口，以及一塊作為承載主體的Altera Stratix 2EP2S15F484FPGA和配套的EPCSl6串行配置存儲器。板卡上的AT91CAP9S具有64個通用I/O連接，而其卜的FPGA則有兩組64個I/O的外設組件。此外，通過ICE-JTAG接口和USB-Blaster-JTAG接口，就可以進行調試。CAP入門工具包還含有AT73C224和AT73C239芯片，用于電源和電池管理。
Atmel Corporation
[關鍵詞]集成電路；失效分析；技術
中圖分類號：TN43 文獻標識碼：A 文章編號：1009-914X（2014）24-0105-01
1.集成電路失效分析步驟
集成電路的失效分析分為四個步驟。在確認失效現象后，第一步是開封前檢查。在開封前要進行的檢查都是無損失效分析。開封前會進行外觀檢查、X光檢查以及掃描聲學顯微鏡檢查。第二步是打開封裝并進行鏡檢。第三步是電性分析。電性分析包括缺陷定位技術、電路分析以及微探針檢測分析。第四步是物理分析。物理分析包括剝層、聚焦離子束（FIB）、掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）以及VC定位技術。通過上述分析得出分析結論，完成分析報告，將分析報告交給相關技術人員。相關技術人員根據相應的缺陷進行改進，以此來實現對集成電路失效分析的意義。
2.無損失效分析技術
所謂無損失效分析，就是在不損害分析樣品，不去掉芯片封裝的情況下，對該樣品進行失效分析。無損失效分析技術包括外觀檢查、X射線檢查和掃描聲學顯微鏡檢查。在外觀檢查中，主要是憑借肉眼檢查是否有明顯的缺陷，如塑脂封裝是否開裂，芯片的管腳是否接觸良好等等。X射線檢查則是利用X射線的透視性能對被測樣品進行X射線照射，樣品的缺陷部分會吸收X射線，導致X射線照射成像出現異常情況。X射線檢測主要是檢測集成電路中引線損壞的問題，根據電子器件的大小及電子器件構造情況選擇合適的波長，這樣就會得到合適的分辨率。而掃描聲學顯微鏡檢測是利用超聲波探測樣品內部的缺陷，主要原理是發射超聲波到樣品內部，然后由樣品內部返回。根據反射時間以及反射距離可以得到檢測波形，然后對比正常樣品的波形找出存在缺陷的位置。這種檢測方法主要檢測的是由于集成電路塑封時水氣或者高溫對器件的損壞，這種損壞常為裂縫或者是脫層。相對于有損失效分析方法的容易損壞樣品、遺失樣品信息的缺點，無損失效分析技術有其特有的優勢，是集成電路失效分析的重要技術。
3.有損失效分析技術
3.1 打開封裝
有損失效分析首先是對集成電路進行開封處理，開封處理要做到不損壞芯片內部電路。根據對集成電路的封裝方式或分析目的不同，采取相應的開封措施。方法一是全剝離法，此法是將集成電路完全損壞，只留下完整的芯片內部電路。缺陷是由于內部電路和引線全部被破壞，將無法進行通電動態分析。方法二是局部去除法，此法是利用研磨機研磨集成電路表面的樹脂直到芯片。優點是開封過程中不損壞內部電路和引線，開封后可以進行通電動態分析。方法三是全自動法，此法是利用硫酸噴射來達到局部去除法的效果。
3.2 電性分析
3.2.1 缺陷定位
定位具體失效位置在集成電路失效分析中是一個重要而困難的項目，只有在對缺陷的位置有了明確定位后，才能繼而發現失效機理以及缺陷的特性。缺陷定位技術的應用是缺陷定位的關鍵。Emission顯微鏡技術、OBIRCH（Optical Beam Induce Resistance Change）技術以及液晶熱點檢測技術為集成電路失效分析提供了快捷準確的定位方法。Emission顯微鏡具有非破壞性和快速精準定位的特性。它使用光子探測器來檢測產生光電效應的區域。由于在硅片上發生損壞的部位，通常會發生不斷增長的電子-空穴再結合而產生強烈的光子輻射。因而這些區域可以通過Emission顯微鏡技術檢測到。OBIRCH技術是利用激光束感應材料電阻率變化的測試技術。對不同材料經激光束掃描可測得不同的材料阻值的變化；對于同一種材料若材料由于某種因素導致變性后，同樣也可測得這一種材質電阻率的變化。我們就是借助于這一方法來探測金屬布線內部的那些可靠患。液晶熱點檢測是一種非常有效的分析手段，主要是利用液晶的特性來進行檢測。但液晶熱點檢測技術的要求較高，尤其是對于液晶的選擇，只有恰當的液晶才能使檢測工作順利進行。液晶熱點檢測設備一般由偏振顯微鏡、可以調節溫度的樣品臺以及控制電路構成。在由晶體各向異性轉變為晶體各向同性時所需要的臨界溫度的能量要很小，以此來提高靈敏度。同時相變溫度應控制在30-90攝氏度的可操作范圍內，偏振顯微鏡要在正交偏振光下使用，這樣可以提高液晶相變反應的靈敏度。
3.2.2 電路分析
電路分析就是根據芯片電路的版圖和原理圖，結合芯片失效現象，逐步縮小缺陷部位的電路范圍，最后是利用微探針檢測技術來定位缺陷器件，從而達到對于缺陷器件定位的要求。
3.2.3 微探針檢測技術
微探針的作用是測量內部器件上的電參數值，如工作點電壓、電流、伏安特性曲線等。微探針檢測技術一般是伴隨電路分析配合使用的，兩者的結合可以較快的搜尋失效器件。
3.3 物理分析
3.3.1 聚焦離子束（FIB）
聚焦離子束就是利用電透鏡將離子束聚焦成為微小尺寸的顯微切割器，聚焦離子束系統由離子源、離子束聚焦和樣品臺組成。聚焦離子束的主要應用是對集成電路進行剖面，傳統的方法是手工研磨或者是采用硫酸噴劑，這兩種方法雖然可以得到剖面，但是在日益精細的集成電路中，手工操作速度慢而且失誤率高，所以這兩種方法顯然不適用。聚焦離子束的微細精準切割結合掃描電子顯微鏡高分辨率成像就可以很好的解決剖面問題。聚焦離子束對被剖面的集成電路沒有限制，定位精度可以達到0.1um以下，同時剖面過程中集成電路受到的應力很小，完整地保存了集成電路，使得檢測結果更加準確。
3.3.2 掃描電子顯微鏡（SEM）
掃描電子顯微鏡作為一種高分辨率的微觀儀器，在集成電路的失效分析中有著很好的運用。掃描電子顯微鏡是由掃描系統和信號檢測放大系統組成，原理是利用聚焦的電子束轟擊器件表面從而產生許多電子信號，將這些電子信號放大作為調制信號，連接熒光屏便可得到器件表面的圖像。對于不同層次的信號采集可以選用不同的電子信號，那樣所得到的圖像也將不同。
3.3.3 透射電子顯微鏡（TEM）
透射電子顯微鏡的分辨率可以達到0.1nm，其大大優于掃描電子顯微鏡。集成電路的器件尺寸在時代的發展中變得越來越小，運用透射電子顯微鏡可以更好的研究產品性能，在集成電路失效分析中，透射電子顯微鏡可以清晰地分析器件缺陷。透射電子顯微鏡將更好地滿足集成電路失效分析對檢測工具的解析度要求。
3.3.4 VC定位技術
前文講述的利用Emission/OBIRCH/液晶技術來定位集成電路中的失效器件，在實際應用過程中熱點的位置往往面積偏大，甚至會偏離失效點幾十個微米，這就需要一種更精確的定位技術，可以把失效范圍進一步縮小。VC（VoltageContrast）定位技術基于SEM或FIB，可以把失效范圍進一步縮小，很好地解決了這一難題。VC定位技術是利用SEM或者FIB的一次電子束或離子束在樣品表面進行掃描。硅片表面不同部位具有不同電勢，表現出來不同的明亮對比度。VC定位技術可以通過檢測不同的明亮對比度，找出異常亮度的點，從而定位失效點的位置。
4.總結
我們認識了常用的集成電路失效分析技術和方法，而更深刻地了解各種技術的應用還需要在實際的分析工作當中積累經驗，再認識再提高。
半導體技術極其豐富多彩，身陷其景，會有“不識廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領悟到一些哲理。
本演講根據半導體技術“由簡入繁”、又“化繁為簡”的螺旋式發展史事，探討主流半導體技術的發展哲理，供大家參考討論。
發展歷程
根據IC Knowledge的歸納，可以把集成電路(IC)的發展歷程劃分為四個階段：即奠定基礎、激情創新、昂首闊步和走向成熟，每階段大約20年。
“奠定基礎”發生于上世紀四五十年代，此階段發明或提出了晶體管、集成電路、平面工藝以及Si材料、CMOS等涉及器件“物理基礎”、“基本結構”、“制造工藝”和“集成方法”等一系列基礎技術和方法。
“激情創新”發生于上世紀六七十年代，主要是產業技術擴散階段。誕生了EPKOM、DSP、DRAM、MPU等。當時有兩個非常重要的發現，一個是等比例縮小，推動器件小型化；另一個是摩爾定律，推動器件集成化；這兩個堪稱是半導體技術的發展引擎。這時候制造裝備(可視為晶圓制造的“基因”)業開始興起，設計工具也涌現了出來。
“昂首闊步”發生于上世紀八九十年代，在此之前，大方向都已經定了，這時晶圓尺寸、集成規模、產業規模…等等只是順續擴大，而產業技術則按“路線圖”發展，即在已知規律下推測未來的發展，是一種邏輯的延伸。這里要指出的是，雖然第一代CMOS DRAM是在1983~1984年間推出的，但是CMOs罩在奠定基礎階段就已經“發明”了。
“走向成熟”階段大致從2000年開始到CMOs技術的“終結”。近年來，在認識上大多共識到硅技術壽限大約在2020年前：而在實踐中則從“拜速度論”向“應用為王”思路轉移，發生了一些重大事件，例如出現了“雙核年”，Fabless(無生產線的公司)模式由懷疑到肯定并成為產業亮點等等。
發展哲理
從發展的前兩個歷程，我們可以看到IC產業“確定了器件縮小(等縮比)、集成做大(摩爾定律)兩大引擎，即如何做到又小又好!”而后兩個歷程則“全部基于馮?諾依曼范式和固體能帶論”，“抬頭拉車”，闊步向前，“即如何化繁為簡，做得規則、標準!”
因此，從純產業技術這個角度看，我們可以把這個產業的“發展哲理”歸納為：“小”就是美(目標)，崇尚“簡約”(使命)，倚重“左腦”(思路)三大特點。
“小”就是美
可從機制、性能、成本、功能、融合等五個角度來看。機制是比例縮小，體現了“小(尺寸)與大(規模)螺旋式前進，低(價格)與高(性能)辯證統一”。成本無論從每MIPS成本，或每個晶體管的成本看，都在大幅度下降。芯片功能越來越豐富，尤其是現在的移動多功能裝置，具有通信以外、越來越多的功能。融合的前景巨大，現在是硬件與軟件融合，今后將是產業的融合。
崇尚“簡約”
體現在材料、結構、制程、設計和應用五個方面。大自然恩賜了人類一種奇異的材料，它既便宜又豐富，既簡單又復雜。在MOS結構中，“兩點一線”構成了一個有源器件，并兼具“低進高出”的優異特性：而CMOS結構則具有“功”盡其用，“耗”節其盡的特點。制程采用基于平臺的“印刷”。產品則是基于平臺的設計，即把數以萬計的以“實”元件為基礎的系統設計，簡化為按某些約束條件下的“虛”元件的“即插即用”“堆積”。應用方面，由于IC集成的深度、廣度與成熟度的演進，使得終端產品和應用本身都大大地“簡約化”了，例如手機集成度越來越高，并把“方案”都“集成”進去，不僅僅做手機簡單一出現了“山寨”現象，而且使用也“傻瓜”化了。
倚重“左腦”
左腦負責理性推理，屬于普通腦；右腦負責感性跳躍，是天才腦。IC發展倚重的是“左腦”，按照邏輯推理思路發展，可以體現在核心結構、核心工具和核心應用(計算模式)三部分。核心結構就是如何把晶體管的特征尺寸做小，原來認為32nm是一個坎，但IBM在E22nm時仍然采用傳統的平面柵結構；而把晶體管尺寸縮小的核心工具(圖形轉移工具)依然依賴于光學方法，遵循簡單的瑞利公式：至于核心應用則涉及到計算模式問題，由于馮，諾依曼范式積累了太多的人類知識，不會被輕易拋棄，所以一定會繼續延用。
當然，技術革新仍然沒有停止，只是這些革新都是在原有“基本模式”中的螺旋前進。例如核心結構沒有突破MOS結構，過去是金屬鋁柵，現在是金屬鉿柵，是一種在原有模式上的螺旋式上升。其他也類似，都是基于舊原理上的邏輯延伸和傳承更新。
幾點啟示
從發展哲理中看成功的訣竅。即基于最普通的材料、最完美的匹配：采用最巧妙的“縮擴”實現了最辨證的技術與經濟“輪回”。
從發展哲理中思考顛覆性突破。Si-CMOS由于本身的物理限制。當它在縮小進程中變得愈來愈繁而又不能“化簡”時，就意味著基于CMOs結構在邏輯上不能延伸了，這時就要發揮天才腦(右腦)的作用，尋找顛覆性突破。但是，目前已涌現的“新興器件”既不成熟又難與Si-CMOS性／價全面匹敵，短時期內還看不到全面替代Si-CMOS的可能。而馮?諾依曼范式也仍將主導SoC設計，這就是說，我們現在還要盡力延伸并充分運用硅技術。主要體現在下面兩點。
第一，嵌入設計成為延伸創新主流。長期以來，設計業的增速是整個IDM(集成設備制造商)的4倍，整個半導體業的3倍。即使在半導體業非常簫條時期，設計業仍然是正增長，這就使得Fabless成了2008年半導體產業的最大亮點，有3家Fabless公司進入了半導體的前20名，高通則進入了前8名。
幾年前有人認為，CPU和DSP作為一個標準產品將要死亡，而實際上從數量上看，CPUSgDSP等通用產品確實比嵌入式芯片的數量少得非常多。因此有人大膽預測，到2028年，整個半導體市場規模將達到1萬億美元，其中絕大部分的芯片將用于嵌入式系統。
第二，“嵌入”應用離不開SiP／3D封裝。就電子裝置小型化而言，包括我們現在的手機，IC／SoC只占整個體積的很小一部分，其他的大多數零件(如傳感器件、光學元件等)的小型化都要靠封裝來解決。因此，2005年國際半導體技術發展路線圖提出了在“More Moore(延伸摩爾定，律)”的同時，要關注“More than Moore(超越摩爾定律)”即SiP(系統封裝)／3D(三維封裝)的發展。
【摘要】：微電子技術是建立在以集成電路為核心的各種半導體器件基礎上的高新電子技術，特點是體積小、重量輕、可靠性高、工作速度快，微電子技術對信息時代具有巨大的影響。微電子產業是基礎性產業,微電子技術是高科技和信息產業的核心技術。微電子技術具有極強的滲透性,發展速度非常快,與其他學科相結合后會產生出一系列嶄新的學科和重大的經濟增長點,對科技發展和國民經濟都做出巨大的貢獻。本文簡單分析微電子發展過程及集成電路的發展前景。
【關鍵詞】：微電子集成電路納米電子
中圖分類號： TN4 文獻標識碼： A
隨著科技的迅猛發展，信息技術，電子技術，自動化技術及計算機技術日漸融合，成為當今社會科技領域的重要支柱技術，任何領域的研發工作都與這些技術緊密聯系，而他們的相互交叉，相互滲透，也越來越密切。
微電子技術是現代電子信息技術的直接基礎，它的發展有力推動了通信技術，計算機技術和網絡技術的迅速發展，成為衡量一個國家科技進步的重要標志。美國貝爾研究所的三位科學家因研制成功第一個結晶體三極管，獲得1956年諾貝爾物理學獎。晶體管成為集成電路技術發展的基礎，現代微電子技術就是建立在以集成電路為核心的各種半導體器件基礎上的高新電子技術。集成電路的生產始于1959年，其特點是體積小、重量輕、可靠性高、工作速度快。衡量微電子技術進步的標志要在三個方面：一是縮小芯片中器件結構的尺寸，即縮小加工線條的寬度；二是增加芯片中所包含的元器件的數量，即擴大集成規模；三是開拓有針對性的設計應用。
大規模集成電路指每一單晶硅片上可以集成制作一千個以上的元器件。集成度在一萬至十萬以上元器件的為超大規模集成電路。國際上80年代大規模和超大規模集成電路光刻標準線條寬度為0．7一0．8微米，集成度為108 。90年代的標準線條寬度為0．3一0．5微米，集成度為109。集成電路有專用電路(如鐘表、照相機、洗衣機等電路)和通用電路。通用電路中最典型的是存貯器和處理器，應用極為廣泛。計算機的換代就取決于這兩項集成電路的集成規模。
存貯器是具有信息存貯能力的器件。隨著集成電路的發展，半導體存貯器已大范圍地取代過去使用的磁性存貯器，成為計算機進行數字運算和信息處理過程中的信息存貯器件。存貯器的大小(或稱容量)常以字節為單位，字節則以大寫字母B表示，存貯器芯片的集成度已以百萬位(MB)為單位。目前，實驗室已做出8MB的動態存貯器芯片。一個漢字占用2個字節，也就是說，400萬漢字可以放入指甲大小的一塊硅片上。動態存貯器的集成度以每3年翻兩番的速度發展。
中央處理器(CPU)是集成電路技術的另一重要方面，其主要功能是執行“指令”進行運算或數據處理。現代計算機的CPU通常由數十萬到數百萬晶體管組成。70年代，隨著微電子技術的發展，促使一個完整的CPU可以制作在一塊指甲大小的硅片上。度量CPU性能最重要的指標是“速度”，即看它每秒鐘能執行多少條指令。60年代初，最快的CPU每秒能執行100萬條指令（常縮寫成MIPS)。1991年，高檔微處理器的速度已達5000萬一8000萬次。現在繼續提高CPU速度的精簡指令系統技術(即將復雜指令精減、減少)以及并行運算技術(同時并行地執行若干指令)正在發展中。在這個領域，美國硅谷的英特爾公司一直處于領先地位。此外，光學與電子學的結合，成為光電子技術，被稱為尖端中的尖端，為微電子技術的進一步發展找到了新的出路。美國《時代》雜志預測：“21世紀將成為光電子時代。”其主要領有激光技術、紅外技術、光纖通信技術等。
微電子學給人類帶來了半個世紀的繁榮。目前國際上集成電路生產線已普遍采用8圓片，0.35um工藝。我國 集成電路集成電路的大生產水平發展也很快。1995年已經達到了6'1.2um的水平，IC產量到2000年可望達到年產10億塊。1995年4月，中科院微電子中心已開發出0.8um的CMOS工藝，在5.0×5.7mm 面積上集成了26000只晶體管、輸出管腳數為72，制成了通用的模糊控制集成塊。
集成電路IC實際上完成了芯片級的電子組裝，有著極高的互聯密度。那么，能不能將高集成鵲胨SI/VLSI/ULSI（大規模/超大規模/特大規模集成電路）和ASIC/FPGA/EPLD（專用IC/現場可編程門陣列/電可擦除可編程的邏輯器件）等組裝在一起實現集成電路的功能集成呢？這就是SMT（表面安裝技術）、HWSI（混合大圓片規模集成技術）和3D（三維組裝技術）。這些技術，推動著電子設備和產品繼續向薄輕短小發展，在片狀元件的小型化和自動安裝設備所能處理的元件尺寸已瀕臨極限的今天，起著關鍵的作用。進入90年代，代表性技術則輪到了MCM，人稱多芯片組裝時代，到2000年即下世紀初，將是WSI/HWSI/3D時代！WSI是將復雜的電子電路集成在一個大圓片上。將IC芯片，MCM和WSI進行三維迭裝的3D組裝突破了二維的限制，使組裝密度更上一層樓。
近幾十年來，電子計算機已歷經了幾代的更迭，而代代更迭都是以存儲或處理信息的基本電子學單元的尺度變化為標志的。從80年代開始，科學家開始探索特征尺寸為納米量級的電子學，納米電子學主要研究以掃描隧道顯微鏡為工具的單原子或單分子操縱技術。這些技術都有可能在納米量級進行加工，目前已形成納米量級的、信息存儲器，存儲狀態已維持一個月以上，希圖用此技術去制作16GB的存儲器。德國的福克斯博士等制出了原子開關，達到了比現今芯片高100萬倍的存儲容量，獲得了莫里斯獎。量子力學告訴我們，電子與光同時都具有粒子波的特性，今天的微電子學和光電子器件將縮到。0.1線寬，電子的波動性質再也不能忽視，把電子視為一種純粹粒子的半導體理論基礎已經動搖。這時電子所表現出來的波動特征和擁有的量子功能就是納米電子學的任務。納米電子學有更多誘人之處。科學家們已經預言，納米電子學將導致一場電子技術的革命！
關鍵詞：集成電路；布圖設計；保護
現代信息技術以計算機技術為基礎，分為軟件技術和硬件技術。在硬件技術中,集成電路技術則是最為重要的核心技術。早在20世紀70年代末,美國就曾有人斷言："像現在OPEC(石油輸出國組織)左右世界一樣,將來掌握了半導體技術的國家將左右整個世界。"正因為如此,各國對于集成電路的開發都給予了足夠的重視。但與此同時,也有一些廠商采取非法手段獲取他人技術秘密或者仿制他人產品,以牟取暴利。我國政府曾積極參與起草世界知識產權組織《關于集成電路的知識產權條約》（以下簡稱條約）,并努力促成了該條約通過。中國加入世界貿易組織后,《與貿易有關的知識產權協議》（以下簡稱TRIPS）就對中國有了約束力,其中也包括集成電路知識產權的法律保護。
一、條約的主要內容
1、保護對象
保護對象為集成電路布圖設計。受保護的布圖設計必須具備原創性。條約中所規定的原創性不同于著作權法中的原創性，條約就此作了專門解釋。具有原創性的布圖設計，即"該布圖設計是創作者自己的智力勞動成果，并且在其創作時在布圖設計的創作者和集成電路制造者中不是常規設計"。
2、布圖設計權利人的有關權利
（1）復制權
復制受保護的布圖設計的全部或其任何部分，無論是否將其結合到集成電路中。
（2）進口、銷售或者以其它方式供銷
為商業目的進口、銷售或者以其它方式供銷受保護的布圖設計或者其中含有受保護的布圖設計的集成電路。
3、布圖設計權利人的有關權利的限制
（1）合理使用
為私人目的或為了分析、評價、研究或者教學而復制受保護的布圖設計，或者在此基礎上創作出新的具有原創性的布圖設計的行為不視為侵權，也不需要權利人許可。
（2）反向工程
第三者在評價或分析受保護的布圖設計的基礎上，創作符合第三條第（二）款規定的原創性條件的布圖設計（拓樸圖）（"第二布圖設計（拓樸圖"））的，該第三者可以在集成電路中采用第二布圖設計（拓樸圖），或者對第二布圖設計（拓樸圖）進行第（一）款所述的行為，而不視為侵犯第一布圖設計（拓樸圖）權利持有人的權利。
（3）非自愿許可
《關于集成電路知識產權條約》規定，任何締約方均可在其立法中規定其行政或者司法機關有可能在非通常的情況下，對于第三者按商業慣例經過努力而未能取得權利持有人許可并不經其許可而進行復制、進口、銷售等行為，授予非獨占許可（非自愿許可）。
（4）善意侵權
《條約》規定，對于采用非法復制的布圖設計（拓撲圖）的集成電路而進行的該款所述的任何行為，如果進行或者指示進行該行為的人在獲得該集成電路時不知道或者沒有合理的依據知道該集成電路包含有非法復制的布圖設計（拓撲圖），任何締約方沒有義務認為上述行為是非法行為。
（5）權利用盡
《條約》的權利用盡條款規定，任何締約方可以認為，對由權利持有人或者經其同意投放市場的受保護的布圖設計（拓撲圖）或者采用該布圖設計（拓撲圖）的集成電路，未經權利持有人的許可而進行該款所述的任何行為是合法行為。
4、國民待遇原則
即任何一個締約國在布圖設計的知識產權保護方面給予與國國民待遇，也同樣給予其他締約國的國民。
5、布圖設計保護期限
條約規定保護集成電路布圖設計的最低期限為8年。
6、保護形式
締約國可以通過專門法律或者通過關于著作權法、專利法，禁止不正當競爭的法律，或者通過上述法律的結合來保護集成電路布圖設計。
7、爭議的解決
通過協商或者其他方式使有爭議的締約國之間達成和解，若不能和解，則由締約國大會召集專家小組，由該小組起草解決爭議的參考性報告，大會基于小組報告和對條約的解釋，向爭議各方提出建議。
8、保留
條約第13條規定：對本條約不得做任何保留。
二、TRIPS有關集成電路布圖設計的規定
與條約相比，TRIPS對集成電路布圖設計的保護更加嚴格，主要表現在以下幾個方面：
1、保護范圍擴大
締約方應將未經權利人同意而進行的下述行為認作是非法行為 ，即為了商業目的而進口、出售、或銷售受到保護的布圖設計，一種采用了受到保護的布圖設計的集成電路，或者一種采用了上述集成電路的產品，只要它仍然包括一個非法復制的布圖設計。
2、善意侵權要付費
善意侵權人接到足夠清楚的通知，被告知該布圖設計是非法復制的之后，侵權人對于在此之前已經獲得的庫存件或預定件可以進行上述行為中的任何一種，但是卻有義務向權利所有者支付一定的費用。
3、保護期限延長
布圖設計的保護期限不得短于自注冊申請日起或者自在世界上任何地方進行的首次商業性使用之日起的10年。
如果締約方不要求以注冊作為提供保護的條件，對布圖設計的保護期限不得短于自在世界上任何地方進行的首次商業性使用之日起的10年。
三、集成電路布圖設計不能用專利法、著作權法保護的原因
1、集成電路布圖設計不能用專利法保護的原因
無論在哪個國家,其專利法都要求受保護的技術方案必須具備實用性、新穎性和創造性。集成電路產品對于實用性和新穎性要求都不會有太大問題,問題的癥結在于創造性。
（1）集成電路的制造者和使用者,在通常情況下最為關心的是集成電路的集成度或者集成規模的大小，如果就這種產品作為一個整體去申請專利,未必都能通過創造性審查。
（2）在集成電路設計中常常采用一些現成的單元電路進行組合。而在專利審查中,組合發明要通過創造性審查,必須取得對該發明創造所屬技術領域的普通技術人員來說是預先難以想到的效果。
確實具備創造性的集成電路產品仍可申請專利以尋求保護。
2、集成電路布圖設計不能用著作權法保護的原因
用著作權法保護集成的電路布圖設計的難度有：
（1）集成電路布圖設計的價值主要體現在實用功能上,這已超出著作權法所保護的范圍。
（2）著作權法對所保護的對象沒有新穎性和創造性要求,這種保護模式不利于技術進步和創新。
（3）依照著作權法,實施"反向工程"的行為將被禁止。未經著作權人同意,任何人不得隨意復制他人作品。
3、集成電路布圖設計不能用其它知識產權法保護的原因
在現有的知識產權法框架中,還有實用新型法、外觀設計法、商標法、反不正當競爭法、商號或企業名稱保護法、原產地名稱保護法等，在現有的諸多知識產權法律門類中,實用新型法雖然是保護技術產品的法律,但是絕大多數國家和地區(法國、澳大利亞等國除外)的法律都要求受保護的實用新型都必須是具備固定形狀或者結構的產品；有的還要求實用新型也必須具備創造性。而集成電路產品的創新點往往并不體現在產品的外在結構和形狀上，故從總體上看實用新型法似乎并不適合集成電路的保護。
外觀設計法所保護的是產品的新穎外觀。外觀設計法的保護對象決無任何技術成分可言。
商標法所保護的只是特定標記與特定產品間的聯系。很顯然這不是集成電路保護所討論的問題。對于集成電路而言,權利人還可將其商標使用在布圖設計上。
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近幾年，中國集成電路市場的發展情況呈現出增速放緩的跡象。以2011年和2012年為例，中國集成電路市場增速分別為9.7%和6.1%，已大大低于2010年之前年均兩位數的增長速度。進入2013年，雖然在全球半導體市場復蘇和國內電子信息制造業增速回升的影響下，中國集成電路市場也呈現出一定程度的上揚，但是上揚勢頭并不十分顯著。
目前，中國已是全球最大的集成電路市場，在全球所占份額已超過了40%。在如此高的基數下，中國集成電路市場增長速度放慢亦屬正常。與此同時，中國集成電路市場新的熱點正不斷涌現，市場格局與競爭態勢也隨之正在發生劇烈變化，中國集成電路市場正處在重新洗牌的關鍵節點上。
回顧2013年展望2014年，中國集成電路市場將繼續圍繞以下幾大熱點領域進行劇烈的變革。
一、移動互聯網的普及。隨著智能終端、寬帶網絡以及應用服務的不斷完善，移動互聯網正日益普及，國內的產業化進程也隨之不斷加快。
2013年12月4日，工業和信息化部正式發放4G牌照，這標志著中國4G時代的真正到來。而此前，國家發展和改革委員會的“組織移動互聯網及第四代移動通信產業化專項的通知”，對產業鏈各環節的產業化做了整體部署。綜觀國內外，半導體市場中表現靚麗的企業，如高通、博通、展訊、銳迪科等，大多已投身于移動互聯網領域。可以預測，2014年移動互聯網仍將是中國集成電路市場中表現最搶眼的領域。
二、智慧城市的建設。隨著國家城鎮化與信息化融合戰略的不斷推進，“智慧城市”建設正在成為國內各級政府關注與投資的熱點。
2013年，國家住房和建設部已經確定了兩批共計193個地區入選“國家智慧城市建設試點名單”，隨著各地在智能醫療、智能環保、智能交通、智能物流、智能安放、智能社區、智能市政等智慧城市各個應用領域重點工程建設的逐步展開，對各類有關信息獲取、控制與存儲、通信與傳輸等方面的芯片需求將迅速增長。
三、智能制造的興起。放眼全球，“新工業革命”正悄然興起。智能制造作為新工業革命的核心，目前正呈現爆發式發展的態勢。3D打印、工業機器人、數控機床、智能儀器儀表和工業控制等諸多領域均成為當前工業與信息產業界關注的熱點。智能制造對芯片的需求也已遠遠超出了工控機的范疇，正向各類嵌入式系統延伸。代表兩化深度融合方向的智能制造，無疑將是未來國內外集成電路市場需求中新的亮點。
四、對信息安全的重視。2013年爆發的“棱鏡門”事件，無疑將信息安全問題提升到了一個前所未有的高度。目前，信息安全對軟硬件的要求不僅僅局限于加密芯片與加密軟件，也正向全面建設國家自主可控的信息化體系過渡。在此背景下，中國集成電路企業不僅能夠在信息安全相關芯片市場獲得獨一無二的競爭優勢，更能夠在立足于國產的信息化軟硬件應用中獲得更大的市場份額。信息安全無疑將成為2014年推動國內企業集成電路企業發展的重要契機。
在以上幾大熱點領域的帶動下，2014年中國集成電路市場預計仍將保持整體增長的勢頭。同時，市場的結構性變化也將更加顯著，由技術驅動轉向應用牽引、由聚集消費轉向面向工業的市場特征將凸顯。廠商內部發展方向的重新調整和廠商之間合縱連橫的重組舉措將成為2014年國內外半導體業界的主旋律。
為滿足集成電路方面教學和科研的需要，同濟大學電子科學與技術系以985三期實驗室建設、教育部修購計劃兩項經費所購置的設備為主體，充分整合利用本系目前已有的設備，完成了一個覆蓋完整的集成電路設計平臺的構建。依托同濟大學第8期實驗教改項目的支持，電子科學與技術系在平臺的應用方面進行了有益的探索：針對本科生實驗教學完成了集成電路設計系列實驗課程開設；在集成電路相關科研項目中進行了實際應用，為科研工作提供了良好的支撐。
【關鍵詞】
集成電路；設計平臺；實驗教學；科研
進入21世紀之后，集成電路在我國相關產業及教育領域的重要性日益凸顯。2000年6月，國務院了綱領性文件《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》（國發2000〔18號〕）[1]，明確了集成電路作為國家戰略性新興產業的地位。在其后的國家中長期科技發展規劃等文件中，均將集成電路列為重要的發展方向，自此我國集成電路產業進入了蓬勃發展的時期。產業的快速發展必然需要科技和教育的配合。基于此原因，國務院科教領導小組批準實施國家科技重大專項—集成電路與軟件重大專項，其后教育部、科技部決定在國內有相對優勢的高等院校建立國家集成電路人才培養基地，分別于2003年、2004年及2009年分3批批準和支持20所高校進行人才培養基地的建設工作。筆者所在的同濟大學為第2批建設的6所高校之一。
同濟大學電子科學與技術系成立于2002年，歷史較短，在集成電路方面的基礎較為薄弱。但自成立之初便將集成電路設計列為最重要的教學與科研方向之一，參考國際知名高校以及國內兄弟院校的先進經驗[2-4]，在課程設置等人才培養環節進行了積極的探索[5]。但是，集成電路設計強調工程設計實踐，如果缺乏相應的設計平臺，僅以理論知識為主，會導致培養出的學生與產業需求契合度不高。這也是諸多高校在集成電路設計的實驗設置及實踐環節進行教學改革和積極探索的原因[6-7]。我系也意識到亟須加強實踐環節的相關建設。基于以上原因，我們充分利用985三期實驗室建設、教育部修購計劃兩項經費的支持，在集成電路設計平臺的構建方面進行了積極的嘗試。
1建設方案與建設過程
1.1平臺建設的基礎依托985二期實驗室建設、教育部修購計劃兩項經費為我系的教學改革提供了非常有力的支持，根據各個學科方向的統籌規劃，分配約150萬元用于集成電路及與系統設計相關的設備購置。購置的設備見表1、表2。除以上兩部分設備之外，本系已經部分購置了與集成電路設計相關的設備，如Dell服務器、SUN工作站、各類測試與信號發生設備等。因此，我系已經初步具備了建設一個覆蓋半導體器件制備與分析、集成電路設計與測試、系統級設計驗證完整流程的專業實驗與設計平臺的基礎條件。
1.2總體構想與平臺規劃基于上述基礎硬件設備，我系在有限的場地資源中安排了專門的場地作為半導體器件與集成電路設計專業實驗室，以支持集成電路設計平臺的建設。將擬建設的半導體與集成電路設計專業實驗室劃分為4個功能區：服務器與中央控制區、集成電路設計區、集成電路分析與測試區、系統級設計與驗證區。總體的規劃如圖1所示，功能與設備支撐概述如下。（1）服務器與中央控制區。主要空間用于放置3個機柜、承載兩個機架式服務器（HP、Dell）、存儲陣列（SAS15000RPM接口、初始配置7.2TB）、一個臥式服務器（超微）以及UPS電源、萬兆交換機等供電和網絡配件。需注意該部分噪聲較大，故應與實驗室其他功能區隔離。提供VPN、遠程配置以及各類必要的服務，配置完整的EDA工具系統，覆蓋集成電路設計全流程。（2）集成電路設計區。20個左右的工位，主要為HP工作站。具備兩類工作方式：作為終端登錄服務器系統使用；在服務器系統不能提供支持時獨立使用。除工作站之外，配備2～3個文件柜、工具柜。（3）集成電路分析與測試區。主要功能為集成電路（晶圓、裸片、封裝后芯片）的分析、測試。分析與測試系統以兩套手動探針測試臺（包括基座、卡盤、ADV顯微鏡）、超長焦金相顯微鏡（超長工作距離，2000倍放大）、4套微米級精確位移系統（包括探針、針臂、針座、線纜與接口）為主，并配備2臺臺式計算機以及信號發生器、穩壓電源、邏輯分析儀1臺、示波器1臺，用作信號發生與記錄、信號與圖像采集功能。配備兩個實驗工具柜。（4）系統級設計與驗證區。6個工位，配備2～3臺計算機。考慮到面積有限，而該區功能較多，以多功能復用的方式設置工位的功能。該區的功能包括：①板級電路設計與測試。主要支撐設備為必要的計算機系統（軟、硬件）。多臺邏輯分析儀、示波器、信號發生器、萬用表、穩壓電源、必要的電子元器件及焊接設備等。②基于FPGA的系統設計。主要支撐設備為計算機系統（軟、硬件）、4套Virtex-5FPGA系統。③嵌入式系統設計。主要支撐設備為計算機系統、3套VeriSOC-ARM9開發平臺、多套PSoC開發套件、多套ARM開發套件、微控制器開發套件等。④集成電路系統級驗證。與板級電路與測試共用各類設備。
1.3軟硬件系統與設計流程構建基于新購買的存儲陣列（NetApp）、服務器（DL380G7）、交換機（CISCO），并整合本系統原有的兩臺服務器（一臺Dell機架式、一臺超微立式），構成一個EDA開發服務系統。系統構建方面，我們進行了基于傳統的EDA開發環境架構，以及基于虛擬化系統進行構建的兩種嘗試。存儲結構上基于存儲陣列，提供足夠安全的冗余備份與保護。系統具備負載均衡功能。最終構建的系統可直接支持同一實驗室內20臺以上HP工作站的同時接入，并提供遠程登錄支持；以及通過同濟大學校園網，提供外網的VPN接入支持。在硬件系統的基礎上，我們安裝配置了完善的EDA工具鏈，以提供覆蓋全流程的集成電路設計支持。
2教學與科研應用
前述所構建的集成電路設計平臺僅是基礎的軟硬件系統，如果要在實際的教學和科研工作中進行使用，尚需進行相關的課程大綱規劃、實驗方案設計以及實際的芯片設計檢驗。通過同濟大學第8期實驗教學改革項目的支持，我們在這些方面開展了一定的工作，主要包括以下兩個方面。
2.1教學應用完成了實驗方案內容建設，構建形成了一套覆蓋集成電路設計全流程的實驗方案，并兼顧半導體器件、集成電路測試；設計的系列實驗應用于新開設的“集成電路設計實驗”課程中，以豐富和擴展該門課程的實驗內容，提高學生的學習積極性。該課程每周4學時，已經完成2013、2014兩個學年的實驗教學工作。具體的實驗內容包括反相器實驗（電路原理圖輸入、電路仿真、版圖設計、版圖設計規則檢查及一致性檢查、后仿真）、一位全加器系列試驗、基本模擬電路單元設計實驗、綜合定制設計實驗、硬件描述語言設計與驗證實驗（選做）、自動綜合與布局布線設計實驗（選做）。構建的軟硬件平臺，除用于集成電路設計實驗課之外，亦用于電子系“半導體器件物理”“半導體工藝原理”等多門課程的實驗環節，以及本科生畢業設計中。與現有的本科生各類創新活動相結合，為該類活動的人員選拔與培養、培訓起到了一定的輔助作用。
2.2科研應用集成電路設計平臺除用于相關的實驗教學任務之外，亦可為相關的科研工作提供良好的支撐。在該平臺所定義的開發環境及設計流程上，我們完成了兩款65納米工藝超大規模集成電路芯片的設計工作，其中一款已經返回，并進行了較為完整的測試，功能及性能均符合預期，芯片如圖2、圖3所示。這些設計很好地確證了該平臺的完整性和可靠性。
【參考文獻】
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集成電路是換代節奏快、技術含量高的產品。從當今國際市場格局來看，集成電路企業之間在知識產權主導權上斗爭激烈，重要集成電路產品全球產業組織呈現出跨國公司(準)寡頭壟斷的特征，集成電路跨國公司銷售、制造、研局朝全球化方向發展。有鑒于此，當前集成電路是中國的“短腿”產業。
(一)產品研究開發至關重要。
集成電路產品研發和換代周期較短。按照摩爾定律，集成芯片上所集成的電路數目，微處理器的性能，每隔一個周期就翻一番；可比單位貨幣所能購買到的電腦性能，每隔一個周期就翻兩番。為什么集成電路產品研發換代周期如此之短?因為芯片制造商要以最短時間，盡其所能，開發新技術，將技術標準更新換代，以實現產品性價比迅速優化，并大規模鎖定消費者群體，乃至防止自身技術標準鎖定的消費者、使用者群體流失到競爭廠商那兒去。由此，集成電路制造商要生存和發展，必須從銷售收入之中，高比率地支出研發預算，建設研發隊伍，開展研發行動。研發主要目標在于，形成具有性價比優勢的技術標準和產品規格。以全球優勢芯片制造商英特爾為例，近幾年其研發支出占銷售收入的比重一直高達13-15％，而同期相對比，即使是研發強度較高的汽車和航空器產業，其優勢跨國公司的研發支出占銷售收入的比重也都在5％上下。
(二)知識產權主導權上斗爭激烈。
研發投入和行動是為了獲取創新成果。集成電路廠商之間，在研發成果的認定、建設、保護方面，常年都是劍張弩拔，斗爭異常劇烈。首先，研發成果要及時在產品市場銷售地申請登記為專利、商標等知識產權；這種登記行動在步調上要早于國際市場開拓。再以英特爾公司為例，美國專利和商標局的數據顯示，近幾年來英特爾所獲該局授權專利數目一直排在前十位，2007年獲得授權數1865項，在授權巨頭中排第五。其次是技術標準的認定和推廣。一項技術標準的權益的表現就是一個技術專利群體。從全球個人和辦公用計算機市場整體格局看，英特爾和微軟擁有所謂w英特爾事實標準；為鞏固這一標準的壟斷地位和保持周邊技術標準的優勢地位，英特爾可謂不遺余力。英特爾每隔一個季度，要在美國、中國、歐洲等世界主要大市場區，選擇商務中心城市，舉辦所謂英特爾信息技術峰會；峰會的一項重要工作就是推介英特爾的技術標準。近年推出的計算機技術標準涵蓋到系統總線、PC架構、多媒體網絡、無線通訊、數字家電等方面。三是知識產權的訴訟與反訴訟。作為PC機技術標準主導者，英特爾和微軟兩家公司幾乎每年都發生訴訟與反訴訟事件，訴訟涉及的核心問題是知識產權侵權和市場壟斷。近年來，就法院正式立案案件而言，英特爾的訴訟或反訴伙伴涉及美國Broadcom、超微、美國消費者群體、Transmeta、Intergraph、中國臺灣威盛、中國深圳東進等；至于從2005年開始，美國AMD公司訴訟英特爾更是表明，AMD公司要正面挑戰英特爾在PC機CPU芯片供應上占據多年的絕對壟斷地位。
(三)重要集成電路產品全球產業組織呈現出跨國公司(準)寡頭壟斷的特征。
集成電路廠商要做到大規模鎖定消費者群體，除在研發投入和節奏上要占優勢和先機之外，還需要盡可能地將產品市場國際化。因為只有以高度國際化的市場為基礎，企業才能在產品生產和銷售上取得規模經濟優勢，才能攤薄昂貴的研發成本。全球產品市場規模的擴張和研發強度的加大又是相輔相成的。于是，對集成電路等產業來說，若以全球市場為背景，我們會看到這樣一幅圖景：一旦某個企業在市場份額上初占優勢，它在研究開發經費的投入，在技術標準的推出和擁有，在鎖定消費者步伐等方面，都會較長時間處于優勢或領先的地位。全球市場份額也會朝向寡頭集中，直至另一個后起之秀再憑借某些條件，逐步突破原有優勢企業的寡頭地位，并推動市場份額重組，乃至再次形成新的銷售市場朝向單寡頭或少數寡頭集中的格局特征。當前集成電路產品全球的銷售市場和產業組織格局充分說明這一點。據Gartner公司調查，2007年全球前十大公司占全球商業芯片銷售收入的53.1％。需注意，這僅是關于全部各類銷售收入的集中度數據。集成電路(芯片)是中間產品；對某一具體最終產品所使用某種具體芯片而言，往往由單個或為數不多的若干芯片制造商處于市場壟斷地位。例如，對個人和辦公用微型計算機最終產品來說，因所謂WINTEL事實技術標準對既定消費者群體的鎖定，至少在PC機的CPU芯片供應上，很多年來，英特爾公司實際上一直處于單寡頭壟斷地位。當然，近幾年這種單寡頭絕對壟斷地位也一定程度受到AMD公司的沖擊。至于其他具體種類芯片，也以單寡頭或少數寡頭壟斷供應居多。
(四)跨國公司銷售、制造、研局朝全球化方向發展。
2007年全球集成電路銷售收入最多的十家公司分別是英特爾，三星電子、東芝、德州儀器、意法半導體、英飛凌、現代半導體、瑞薩、恩智浦和日本電氣。十大巨頭均為跨國公司，均以全球市場為背景，進行制造、銷售、研發基地配置，以盡可能地取得行業競爭優勢。以英特爾公司為例。英特爾在50個國家開設約300個分支機構，總公司對分支構架的控制主要采取控股、內部化方式，全球化布局戰略在銷售、制造、研發等方面都得到充分體現。
從銷售收入地域格局來看，銷售地域格局的多元化和新銷售地域增長點的形成是支撐英特爾銷售收入迅猛上升的主要因素。1997至2007年間，英特爾公司美洲銷售份額從44％0持續下降至20％；歐洲份額從27％持續下降至19％；亞洲份額從19％持續上升至51％。
從制造過程來看，英特爾在全球范圍整合生產體系，將高附加值部分(硅片生產與加工)留在美國，將制造設施放在以色列，將勞動密集型業務放在馬來西亞、愛爾蘭、菲律賓、巴巴多斯、中國和哥斯達黎加等地。隨著中國市場重要性上升，英特爾在建設原上海測試和封裝工廠的基礎上，先后于2004年、2007年再在中國成都、大連建設封裝測試和生產制造工廠。
從研局來看，在芯片設計和測試方面，美國、印度、以色列、中國等重要區域市場支點和人力資源豐富區是公司布局重點，其三大模塊化通信平臺、解決方案中心、研發中心分別布設在美國、中國和比利時。20世紀90年代以來，英特爾的全球架構整合行動一定程度影響和引領著其他芯片商。其中，一些公司對海外機構進行了重組。
(五)集成電路是中國的“短腿”產業。
我國集成電路的設計和制造還處在起步發展階段，遠不具備強勢國際分工地位。這在多方面都有所體現。首先，集成電路是中國大額逆差產業。盡管近年我國貨物貿易實現巨額貿易順差，但順差、逆差產業的分化明顯。順差主要集中在紡織、家電等產業上，而集成電路、礦產、塑料等發生大額逆差。2005年和2006年集成電路是我國頭號逆差產品，其貿易逆差總額分別高達856億美元和676億美元，相當于當年全部貨物貿易順差的48.2％和66.4％。其次，我國各種專有權連年發生大額貿易逆差。2006年和2007年，通過國際收支反映出來的中國“專有權利使用費和特許費”貿易項逆差分別為64.3億美元和78.5億美元，分別相當于當年服務貿易國際收支逆差總額的72.8％和99.4％。如前闡述，集成電路產業要發展，需要以企業擁有強勢知識產權所有權為基礎，而專有權貿易項大額逆差實際上和集成電路設計產業處在幼稚期密切相關。還有，目前我國集成電路設計和制造企業的實際情況也說明了這一點。2007年中國內地銷售收入排名第一的集成電路設計企業——華大集成電路設計集團有限公司銷售收入總額大致相當于同年英特爾銷售額的5％。在排名前幾位的芯片設計制造商中，業務種類主要集中在身份管理、消費結算、通信、MPi、多媒體等低端芯片上面。
二、中國本土企業的借鑒經驗
目前，在智能卡，固定和無線網絡、消費電子、家電所用芯片，以及PC機芯片等產品領域，我國已經有若干集成電路設計制造企業，自主品牌業務迅速增長。境內自主品牌企業的成長經歷初步表明，國內大市場能夠為企業成長提供比較優勢，知識產權建設是企業可持續成長的推動力，企業應該高度重視知識產權貿易糾紛應對，目前中國集成電路企業“走出去”尚不普遍。
(一)若干中低端集成電路設計企業迅速成長。
根據來自中國半導體行業協會的數據，中國內地集成電路設計產業銷售收入從2002年的21.6億元增長到2006年的186億元，年均增長71.3％。位居2007年銷售額前五位的企業分別是中國華大集成電路、深圳海思半導體、上海展訊通信、大唐微電子、珠海炬力集成電路。我國集成電路的本土“巨頭”的業務范圍主要集中在智能卡、多媒體、通信卡等低端業務上。同時，這些企業在成長早期的某個三至五年時間段，都發生過業務量迅猛增長。其中，珠海炬力2002-2005年間銷售收入年均增長高達950％；上海展訊通信2007年銷售收入相比上年增長了233.1％，中國華大集成電路2004-2006年銷售收入年均增長62.6％。
(二)境內大市場能夠為企業成長提供比較優勢。
境內大市場對企業成長的重要作用的典型表現是：“第二代身份證項目”為中國華大、大唐微電子、上海華虹、清華同方微電子等企業成長提供了較大市場機遇。這里再以珠海炬力對市場的主動開發為例。從2001年開始，珠海炬力推出所謂“保姆式服務”。炬力在銷售芯片的同時，免費附送一套完整的MP3制造“操作手冊”，對芯片手工、規范、標準、制作和質量等做詳細說明。同時，只要買了炬力芯片，炬力服務支持人員會告訴你到哪里買合適的PBC板，到哪里買電容、電阻，成本是多少。客戶即便是外行，只要找幾個會焊接技術、能看懂圖紙的技術人員。然后再買模具回來，往上一扣就可以出貨。“保姆式服務”吸引了大量中小廠商進入MP3市場，僅2005年，境內出現的MP3品牌就達600多個。由此，珠海炬力在中國本土成功巨量引爆MP3生產和消費能力。這種操作給矩力銷售收入帶來了井噴式增長。還有，珠海炬力后來深陷與美國芯片商SigmaTel公司的訴訟糾紛，對向美國出口受到限制，這時，正是面向境內和其他國家的銷售為珠海炬力提供了市場緩沖和財務支持。在后來與SigmaTel公司的較量中，珠海炬力要求國內司法機關執行“訴前禁令”，而正是因為考慮到可能失去中國境內大市場，成為外方企業考慮和解的重要權衡因素，中國境內大市場成為斗爭籌碼之一。實際上，我們再從國際經貿理論提供的論證來看，不論是波特的國家比較優勢論，還是戰略性貿易理論，或者是楊小凱等人新興古典貿易理論，境內大市場都是構建國際分工比較優勢的重要支持因素之一。
(三)知識產權建設是企業可持續成長的推動力。
具備研究開發實力是啟動、占領和拓展市場的基礎，也是企業可持續成長的動力。所有快速成長的中國集成電路設計企業都表現出了這個特點，有的企業在技術標準建設上也取得了很大成績。
1中國華大。2006年華大實現了新增知識產權45項，其中申報發明專利29項，軟件著作權登記8項，集成電路版圖登記8項。該公司自2003年開始進行WLAN芯片研發工作，成為無線局域網領域的“寬帶無線IP標準工作組”正式成員。此外，作為“WAPI產業聯盟”發起人單位之一，華大還積極參與到國家WLAN標準的制定。
2深圳海思。海思掌握具有一定地位的IC設計與驗證技術，擁有先進的EDA設計平臺、開發流程和規范，已經成功開發出100多款自主知識產權的芯片，共申請專利500多項。
3上海展訊通信。展訊近百項發明專利獲得國內外正式授權，目前已形成一套核心技術的專利群。
4大唐微電子。公司連續開發出一系列具有自主知識產權的技術與產品，目前，公司共向國家知識產權局申報專利90項。
5珠海炬力。2003年以來，珠海炬力不斷加大自主知識產權技術的研發投入力度，并積極申請專利、布圖設計、軟件著作權、商標權等多種形態知識產權，專利申請量和獲得授權的數量實現了迅速增長。
(四)知識產權貿易糾紛提供的教訓非常深刻。
在深圳海思尚未從華為拆分出來的時候，華為就在集成系統的軟硬件方面和國外廠商有過知識產權摩擦。至于從2005年年初至2007年6月，珠海炬力與美國老牌芯片商SigmaTel的知識產權糾紛所引發的摩擦影響之大、企業投入之巨、持續時間之長、社會關注之廣，在我國貿易糾紛歷史上極為罕見。這一知識產權貿易糾紛提供的教訓值得我國集成電路和高新技術企業長期引以為鑒。
1集成電路企業全球市場份額大幅攀升必然引發知識產權貿易摩擦。2003年以前，SigmaTel曾經在全球MP3芯片市場中占據70％以上的份額。但是，正是由于集成電路產品的快速換代性和消費者群體鎖定性，隨著珠海炬力的崛起，SigmaTel的市場份額不斷遭到炬力蠶食。2006年4月，SigrnaTel第一季度收入較上年同期下降67％，正是出于“生死存亡”的考慮，SigmaTel才選擇在珠海炬力成長的關鍵期，不遺余力地通過訴訟和其他途徑，試圖“阻擊”炬力市場領地的蔓延。
2知識產權訴訟過程本身就會給競爭對手造成重大傷害。在訴訟其間，珠海炬力曾經遭遇對美國出口受到禁止、公司股價大跌、前后訴訟支出超過1000萬美元等考驗，如若公司沒能挺住，可能就倒在訴訟途中。
3與訴訟對手和解，是雙方博弈的理性選擇。在整個訴訟和反訴過程中，珠海炬力經歷“遭訴應訴反訴拒絕和解在對方調整條件后和解”的互動角色變化。而對手Sigma7el則經歷“一定程度得手遭反訴提出和解遭到拒絕調整條件后和解”的角色變化。雙方的和解與英特爾、微軟、IBM、華為等公司與糾紛對手和解有類似之處，是實力較量之后的理性博弈和解。
4企業的知識產權管理必須同步于產品國際市場開拓。2005年以前，珠海炬力的知識產權管理是滯后于國際市場開拓的，當然也談不上事前對可能陷入的訴訟做前瞻性準備。而正是回應訴訟強烈地推動了企業的知識產權管理。
(五)企業主動“走出去”尚不普遍。
目前就企業國際化而言，境內快速成長的企業均在自身設計產品出口方面取得了較大進展。其中，深圳海思、上海展訊、大唐微電子、珠海炬力等企業的海外銷售收入都在公司銷售總額中占有一定的比例。其中，2006年，深圳海思出口收入占銷售收入的69％，上海展訊占32.6％，大唐微電子占1.4％，珠海炬力占89％。不過，在海外分支機構建設方面，僅深圳海思、上海展迅通信初步取得進展。
三、中國集成電路產業繼續突圍發展的基本要領
集成電路之所以成為中國的短腿產業，有其內在原因。集成電路企業的啟動需要有較先進的技術和較強勁的資本實力作為基礎；也需要國內居民普遍的收入達到一定水平，以支撐電腦、手機、消費電子、高端家電等購買閥值相對較高的產品形成市場規模。至于某些中高端芯片產品發展，國內企業還處于成長初期，會面臨外方強勢跨國公司全面壟斷市場的壓力。全面考慮這些情況，作為“短腿”的中國集成電路產業的發展歷程必定是一個不斷在技術和市場上構建優勢，并突出外方強勢企業重圍的過程。
(一)積極拓展產品種類，提升產品檔次。
我國現有集成電路企業，現有的集成電路關聯企業，如計算機、家電、消費電子、工程服務等產業領域廠商，應該在企業原有的技術和財務實力的基礎上，通過開發創新技術、建設技術標準和拓展產品市場，逐步拓寬和提升我國能夠設計、開發、制造的集成電路產品種類，乃至實現我國設計的自主品牌集成電路產品，逐漸延伸到手機、計算機用CPU等高端芯片產品領域，并逐漸結束我國在高端集成電路領域的空白狀態。
(二)企業主動開發境內大市場。
隨著我國居民收入水平不斷增長，我國消費購買閥值增大，對像集成電路這種高技術產業的突圍成長而言，境內大市場的孵化、支持、緩沖等作用將表現得越來越明顯。不過，境內大市場的這種作用需要企業主動去發現、開發和利用。因此，在中國內地企業提升集成電路產品檔次、培育民族品牌產品、建設自主技術標準體系的過程中，應該借鑒珠海炬力、中國華大等企業的經驗，創造性地拿出市場開發方案，通過生產和消費兩方面的促進，激發我國的集成電路市場容量潛力，并實現企業快速成長。
(三)加強技術標準建設，占領知識產權制高點。
境內集成電路企業和集成電路產業關聯企業，應以某些技術單點的創新成就為基礎，加強產品價值鏈上下游環節技術創新和專利開發，以點帶面，逐步形成本國自主知識產權技術標準集群。企業和政府共同努力，將謀求事實國際標準與國際標準認定結合起來，大力推進技術標準國際化。企業應積極建設產業聯盟，集中同行技術實力，削弱國際同行競爭性標準影響力，促進自主產權技術標準建設。政府則應完善技術標準國內管理。同時，積極參加技術標準國際組織和論壇，推動技術標準國際合作機制改革。
(四)企業盡快“走出去”，培育形成民族自主品牌跨國公司。
隨著我國自主品牌集成電路產品國際市場份額的增大，隨著產品品種逐漸延伸到電子產品CPU等核心環節或高端領域，我國企業與外國跨國公司的直面競爭將在所難免。因此，從指導思想上，在集成電路企業的成長過程中，一定要盡快“走出去”，要以本行業世界一流跨國公司為標桿，構建全球性與區域性恰當結合的研發、生產、銷售網絡。另外，與集成電路關聯的計算機制造、電信服務、工程服務企業，也都應該盡快成長為自主品牌跨國公司，并和集成電路跨國公司成長形成呼應、配合和相互促進的關系。
(五)政府和社會將集成電路產業作為戰略產業予以扶持和資助。
集成電路產業具有以下特征：研發和資本需求強度較高，廠商靜態動態規模經濟效應明顯，本國廠商和產業成長面臨外方強勢競爭對手，這些特征非常符合戰略性貿易理論所闡述的戰略性產業的特征。因此，政府應將該產業作為戰略扶持產業。具體地說，政府應該選擇集成電路(潛在)優勢企業，運用研發資助、財稅優惠、優惠性融資、出口補貼、“走出去”資助，外方優惠政策爭取等措施，積極推動本國戰略產業廠商提高國際市場份額。此外，政府還應和科研機構、其他社會各界一道，面向集成電路產業，加大基礎科學研究力度，加強與科技項目、知識產權、人才培養相關的配套公共管理和服務。
(六)政府統籌建設境內外大市場，加強國際經貿合作關系。
首先要加強境內外關聯產品消費設施和流通市場的建設。在國內，特別是在廣大農村地區宜采取財政支出、優惠信貸等方式；在境外，主要面向發展中經濟貿易伙伴，以政府發展援助、企業公益行動、貿易能力援助等方式，支持或幫助有線無線網絡、電力等基礎設施建設，改善PC、手機、家電等關聯產品流通市場，提升貿易伙伴的貿易能力。其次要策略地開展國際經貿關系合作。積極面向在集成電路產業上和我國不存在競爭關系的經濟體，通過FTA/RTA和其他經貿協議，形成(準)共同產品市場關系。第三要優化企業對外投資環境。加強國際投資協定合作和雙邊協商，破除中國企業境外投資進入障礙。
關鍵詞：故障診斷；掃描診斷；全速診斷；IDDQ；IDDT
中圖分類號：TM13 文獻標識碼：B
文章編號：1004-373X(2009)01-164-03
Scan-based Fault Diagnosis Technique for IC Testing
TAO Lifang1,MA Qi1,ZHU Hongwei2
(1.Microelectronic CAD Research Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou,310018,China;
2.Institute of VLSI Design,Zhejiang University,Hangzhou,310027,China)
Abstract：Along with fast development of IC technology,higher and higher request for the IC products reliability is needed,which set a higher request for IC test specially the fault diagnosis.Scan-based fault diagnosis technique for IC testing,which is one of fault diagnosis methods wildly used,a kind of advanced scan diagnosis and at-speed diagnosis are presented detailedly in this paper.
Keywords：fault diagnosis;scan diagnosis;at-speed diagnosis;IDDQ;IDDT
0 引 言
通常意義的的集成電路測試,只是施加測試以判斷被測電路是否存在故障,并不對故障進行定位、確定故障類型、明確故障發生的根本原因。隨著集成電路技術的飛速發展,對集成電路測試提出了更高的要求,必須進一步分析測試的結果,確定故障的性質,即所謂的故障診斷 \(Fault Diagnosis),以便對集成電路設計或工藝環節進行改進。
集成電路故障診斷分為故障檢測(測試)和故障定位,目的是找出引起集成電路失效(Failure)或者性能問題的物理缺陷(Defect),從而為提高集成電路芯片的成品率或改善性能提供參考。既然診斷是一個對存在于給定電路的制造復制板中的故障進行定位的過程,可以在測試結果的基礎上,分析故障產生的原因和位置,更加有利于提高測試的效率。
1 常見的故障診斷方法
目前的集成電路故障診斷技術都是基于電壓的集成電路測試(故障檢測)方法,即在電路的測試端輸入測試向量,然后用電路的輸出結果與設計的期望值做比較以判斷電路是否有故障。例如,直接測量的方法,基于數學模型的方法,故障字典法,故障樹分析法 \等。
直接測量的方法是人工或者工具直接觀察測量被診斷對象有關的輸出量,如果超出正常變化范圍,則認為對象已經或將要發生故障。這種方法雖然簡單,但容易出現故障的誤判和漏判。
基于數學模型的方法是在故障模型的基礎上,通過電路狀態并參考適當模型進行診斷,或者根據過程參數的變化特性參考適當模型進行診斷。這種方法需要模型的支持,對缺乏診斷經驗(規則)的故障能起到預見作用。該方法的缺點是模型的建立比較困難,如果模型精確復雜,則診斷系統計算量龐大。
故障字典法［3］首先提取電路在各種故障狀態下的電路特征,以構建一個字典。該字典中包含有故障狀態和電路特征的一一對應關系。在診斷時,根據電路表現出的特征,就可查出此時對應的故障,如同查閱字典一樣。由于故障字典的建立需要精確數據以及字典的容量有限,該方法有一定的局限性。
故障樹分析法則像查找樹一樣,把許多電路的故障診斷歸納為幾個大的頂級故障事件,然后針對每個頂級故障事件搜索故障位置。這種診斷方法類似于人類的思維方式,易于被接受和理解。
以上的基于電壓的測試方法比較成熟,但是隨著集成電路技術的發展,其不足之處也越來越明顯。針對基于電壓的故障診斷方法的不足,出現了基于電流的診斷方法。基于電流信息的集成電路診斷可分為靜態電流(IDDQ)診斷和動態電流(IDDT)診斷。IDDQ診斷方法檢測CMOS電路靜態時的漏電流以進行診斷。IDDQ診斷方法測試成本低,可以以較小的IDDQ測試集獲得較大的故障覆蓋率,能夠檢測邏輯冗余故障,簡化橋接故障測試,不需要考慮邏輯扇出點 \。IDDT診斷方法是通過檢查電路在其內部狀態發生翻轉時的動態電流來發現其故障的方法。IDDT作為基于電壓的診斷和基于電流的IDDQ診斷的補充,成為集成電路診斷的另一方法。IDDT測試的速度非常快,而且可以對電路中的開路故障、弱晶體管故障進行檢測,而這正是
IDDQ診斷方法的不足 \。
2 基于掃描的集成電路故障診斷方法
掃描測試 \或者稱“掃描鏈插入”是集成電路最常見的可測試性設計技術,可使測試數據從系統一端經由移位寄存器等組成的數據通路(掃描鏈)串行移入或移出,并在數據輸出端對數據進行分析,以此提高電路內部節點的可控性和可觀察性,達到測試芯片內部的目的。
基于掃描的故障檢測(測試)只需完成確定是否存在故障的任務,但基于掃描的故障診斷需要定位故障,因此存在一個問題：一旦確定一個掃描錯誤,那么一系列節點都要成為測試的對象,這樣就要花大量的時間通過電路圖和物理版圖,比較一系列節點,以隔離那些有可能有故障和缺陷的位置。所以,這種分析方法必須能對可能出現的故障類型以及其物理缺陷做出有經驗的判斷和猜測。另外,掃描測試是基于stuck at類型故障的,所以很難確定故障是開路型還是橋接型故障。
3 一種改進的掃描診斷技術
針對傳統的基于掃描的故障診斷存在的問題,Mentor開發出了YieldAssist診斷工具。該工具把故障嫌疑(suspect)分為stuck-at,open/dom橋,B-OR-A,B-AND-A,3-WAY橋,根據現有信息不能確定的,EQ#等類型。除了采用基于定位的方法去驗證故障嫌疑,確定故障嫌疑的類型,該工具還通過計算仿真值和測試機上觀察值的比分值,來表明故障嫌疑與在測試機上觀察的結果的相似度(相似度的分值是在 1~100分之間,分值越高二者越接近)。因為即使是在同一個邏輯位置,不同的故障模型也有不同的仿真值。
YieldAssist的故障診斷流程如下：
(1) 仿真單個門有故障的管腳,看看故障向量是否把在測試機觀測到的錯誤行為傳播到所有觀測點,如果YieldAssist找到了關聯,故障向量就可以在這個點被解釋；
(2) 找到能包含所有錯誤向量的最小故障集；
(3) 把所有的數據歸類到幾個獨立的“癥狀”區,每個癥狀中列出可以解釋該故障向量的嫌疑類型。YieldAssist將嫌疑類型進行分級,給出每個癥狀中每個嫌疑的分值,這樣對故障嫌疑進行分級。分值表明了故障嫌疑與在測試機上觀察的結果的相似度。
4 一種基于掃描的全速診斷技術
全速測試 \是當今電子設計的要求,芯片時鐘速度的不斷提升和幾何面積的不斷減小,不可避免地導致芯片與時鐘速度相關缺陷的增加。目前主要的ATPG工具都支持基于掃描的全速測試。最常見的針對制造缺陷和處理過程不穩定的檢查的全速測試,包括了針對跳變延時故障和路徑延時故障模型的測試向量生成。但是,在出現故障現象的全速測試向量中挑揀出故障路徑是很消耗時間的,所以業界越來越期待運用自動診斷技術來確定故障路徑并找出問題的根本原因。
通常情況下,運行一段給定電壓給定溫度下的測試向量,就能找出最大的通過速度T max。在早期階段,T max小于指定電路速度F max的現象是很普遍的。當T max遠遠小于F max時,需要找出是哪條路徑發生故障以及故障的原因。假設測試向量在芯片上以t max運行,此處T max＜t maxF max,根據T max的定義可知,在t max的時鐘下,將會有一個或者多個故障路徑。
根據上述理論,為了確定在t max下的故障路徑,只需載入所有的測試向量,掃描鎖存器觀察故障值,就可以得到一個完整的路徑集合。因為這些路徑的有效運行時鐘比設定的速度低,所以設計者可以觀察這些路徑是否是功能性(即是否完成某邏輯功能)：如果不是功能性的路徑,可以修改測試向量使得該路徑就不被測試；也可以更新時序例外通路(Timing Exception Paths),引導ATPG來避免敏化這條通路。如果是功能性的路徑,那么在設計或者制造環節進行修正,直至測試向量通過全速測試。T max越接近F max,測試的覆蓋率越高。
基于掃描的全速診斷［10］大致可以分為兩部分：由ATE上觀察到故障的鎖存器找出故障路徑；自動化全速診斷。
由ATE上觀察到故障的鎖存器中找出故障路徑,需要注意以下兩點：當時鐘速度從T max提升到t max,多時鐘故障通路有可能被激活,此時的搜索就不能只假定在一個單故障路徑；全速測試的故障有可能是由毛刺引起的,并不是故障路徑的每個節點都有跳變,所以搜索不能局限在有跳變的范圍內 \。
自動化全速診斷可以分為3步：
(1) 對每一個出現故障現象的測試向量(故障向量),在觀測到故障的鎖存器中找到所有故障值的所有單跳變錯誤。
(2) 從所有故障向量中得到候選項之后,找到一個覆蓋所有錯誤向量的最小跳變錯誤的最小集合。
(3) 為了觀察故障路徑,對于已經確定的每個跳變錯誤,圖形化展示所有能被故障向量解釋的故障路徑。這些通路用循跡跟蹤法來找到,從錯誤點反向至在錯誤點產生跳變的鎖存器,然后再前向至結束點［12］。
5 結 語
介紹了故障診斷的常見方法,重點介紹了基于掃描的故障診斷方法。隨著技術的不斷發展,對芯片故障診斷的要求也越來越高,基于掃描的集成電路故障診斷算法將是研究和應用的熱點。
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【關鍵詞】集成電路；失效分析；電性分析；物理分析
失效分析就是判斷失效的模式，查找失效原因，弄清失效機理，并且預防類似失效情況再次發生。集成電路失效分析在提高集成電路的可靠性方面有著至關重要的作用，對集成電路進行失效分析可以促進企業糾正設計、實驗和生產過程中的問題，實施控制和改進措施，防止和減少同樣的失效模式和失效機理重復出現，預防同類失效現象再次發生。本文主要講述集成電路失效分析的技術和方法。
1.集成電路失效分析步驟
集成電路的失效分析分為四個步驟。在確認失效現象后，第一步是開封前檢查。在開封前要進行的檢查都是無損失效分析。開封前會進行外觀檢查、X光檢查以及掃描聲學顯微鏡檢查。第二步是打開封裝并進行鏡檢。第三步是電性分析。電性分析包括缺陷定位技術、電路分析以及微探針檢測分析。第四步是物理分析。物理分析包括剝層、聚焦離子束（FIB）、掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）以及VC定位技術。通過上述分析得出分析結論，完成分析報告，將分析報告交給相關技術人員。相關技術人員根據相應的缺陷進行改進，以此來實現對集成電路失效分析的意義。
2.無損失效分析技術
所謂無損失效分析，就是在不損害分析樣品，不去掉芯片封裝的情況下，對該樣品進行失效分析。無損失效分析技術包括外觀檢查、X射線檢查和掃描聲學顯微鏡檢查。在外觀檢查中，主要是憑借肉眼檢查是否有明顯的缺陷，如塑脂封裝是否開裂，芯片的管腳是否接觸良好等等。X射線檢查則是利用X射線的透視性能對被測樣品進行X射線照射，樣品的缺陷部分會吸收X射線，導致X射線照射成像出現異常情況。X射線檢測主要是檢測集成電路中引線損壞的問題，根據電子器件的大小及電子器件構造情況選擇合適的波長，這樣就會得到合適的分辨率。而掃描聲學顯微鏡檢測是利用超聲波探測樣品內部的缺陷，主要原理是發射超聲波到樣品內部，然后由樣品內部返回。根據反射時間以及反射距離可以得到檢測波形，然后對比正常樣品的波形找出存在缺陷的位置。這種檢測方法主要檢測的是由于集成電路塑封時水氣或者高溫對器件的損壞，這種損壞常為裂縫或者是脫層。相對于有損失效分析方法的容易損壞樣品、遺失樣品信息的缺點，無損失效分析技術有其特有的優勢，是集成電路失效分析的重要技術。[1]
3.有損失效分析技術
無損失效分析技術只能對集成電路的明顯缺陷做出判斷，而對于存在于芯片內部電路上的缺陷則無能為力。所以就要進行有損失效分析，有損失效分析技術包括打開封裝、電性分析以及物理分析。
3.1 打開封裝
有損失效分析首先是對集成電路進行開封處理，開封處理要做到不損壞芯片內部電路。根據對集成電路的封裝方式或分析目的不同，采取相應的開封措施。方法一是全剝離法，此法是將集成電路完全損壞，只留下完整的芯片內部電路。缺陷是由于內部電路和引線全部被破壞，將無法進行通電動態分析。方法二是局部去除法，此法是利用研磨機研磨集成電路表面的樹脂直到芯片。優點是開封過程中不損壞內部電路和引線，開封后可以進行通電動態分析。方法三是全自動法，此法是利用硫酸噴射來達到局部去除法的效果。[2]
3.2 電性分析
電性分析技術包括缺陷定位、電路分析以及微探針檢測分析。
3.2.1 缺陷定位
定位具體失效位置在集成電路失效分析中是一個重要而困難的項目，只有在對缺陷的位置有了明確定位后，才能繼而發現失效機理以及缺陷的特性。缺陷定位技術的應用是缺陷定位的關鍵。Emission顯微鏡技術、OBIRCH（Optical Beam Induce Resistance Change）技術以及液晶熱點檢測技術為集成電路失效分析提供了快捷準確的定位方法。
Emission顯微鏡具有非破壞性和快速精準定位的特性。它使用光子探測器來檢測產生光電效應的區域。由于在硅片上發生損壞的部位，通常會發生不斷增長的電子-空穴再結合而產生強烈的光子輻射。因而這些區域可以通過Emission顯微鏡技術檢測到。OBIRCH技術是利用激光束感應材料電阻率變化的測試技術。對不同材料經激光束掃描可測得不同的材料阻值的變化；對于同一種材料若材料由于某種因素導致變性后，同樣也可測得這一種材質電阻率的變化。我們就是借助于這一方法來探測金屬布線內部的那些可靠患。液晶熱點檢測是一種非常有效的分析手段，主要是利用液晶的特性來進行檢測。但液晶熱點檢測技術的要求較高，尤其是對于液晶的選擇，只有恰當的液晶才能使檢測工作順利進行。液晶熱點檢測設備一般由偏振顯微鏡、可以調節溫度的樣品臺以及控制電路構成。在由晶體各向異性轉變為晶體各向同性時所需要的臨界溫度的能量要很小，以此來提高靈敏度。同時相變溫度應控制在30-90攝氏度的可操作范圍內，偏振顯微鏡要在正交偏振光下使用，這樣可以提高液晶相變反應的靈敏度。[3]
3.2.2 電路分析
電路分析就是根據芯片電路的版圖和原理圖，結合芯片失效現象，逐步縮小缺陷部位的電路范圍，最后是利用微探針檢測技術來定位缺陷器件，從而達到對于缺陷器件定位的要求。
3.2.3 微探針檢測技術
微探針的作用是測量內部器件上的電參數值，如工作點電壓、電流、伏安特性曲線等。微探針檢測技術一般是伴隨電路分析配合使用的，兩者的結合可以較快的搜尋失效器件。
3.3 物理分析
物理分析技術包括聚焦離子束、掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡以及VC定位技術。
3.3.1 聚焦離子束（FIB）
聚焦離子束就是利用電透鏡將離子束聚焦成為微小尺寸的顯微切割器，聚焦離子束系統由離子源、離子束聚焦和樣品臺組成。聚焦離子束的主要應用是對集成電路進行剖面，傳統的方法是手工研磨或者是采用硫酸噴劑，這兩種方法雖然可以得到剖面，但是在日益精細的集成電路中，手工操作速度慢而且失誤率高，所以這兩種方法顯然不適用。聚焦離子束的微細精準切割結合掃描電子顯微鏡高分辨率成像就可以很好的解決剖面問題。聚焦離子束對被剖面的集成電路沒有限制，定位精度可以達到0.1um以下，同時剖面過程中集成電路受到的應力很小，完整地保存了集成電路，使得檢測結果更加準確。
3.3.2 掃描電子顯微鏡（SEM）
掃描電子顯微鏡作為一種高分辨率的微觀儀器，在集成電路的失效分析中有著很好的運用。掃描電子顯微鏡是由掃描系統和信號檢測放大系統組成，原理是利用聚焦的電子束轟擊器件表面從而產生許多電子信號，將這些電子信號放大作為調制信號，連接熒光屏便可得到器件表面的圖像。對于不同層次的信號采集可以選用不同的電子信號，那樣所得到的圖像也將不同。
3.3.3 透射電子顯微鏡（TEM）
透射電子顯微鏡的分辨率可以達到0.1nm，其大大優于掃描電子顯微鏡。集成電路的器件尺寸在時代的發展中變得越來越小，運用透射電子顯微鏡可以更好的研究產品性能，在集成電路失效分析中，透射電子顯微鏡可以清晰地分析器件缺陷。透射電子顯微鏡將更好地滿足集成電路失效分析對檢測工具的解析度要求。
3.3.4 VC定位技術
前文講述的利用Emission/OBIRCH/液晶技術來定位集成電路中的失效器件，在實際應用過程中熱點的位置往往面積偏大，甚至會偏離失效點幾十個微米，這就需要一種更精確的定位技術，可以把失效范圍進一步縮小。VC（Voltage Contrast）定位技術基于SEM或FIB，可以把失效范圍進一步縮小，很好地解決了這一難題。VC定位技術是利用SEM或者FIB的一次電子束或離子束在樣品表面進行掃描。硅片表面不同部位具有不同電勢，表現出來不同的明亮對比度。VC定位技術可以通過檢測不同的明亮對比度，找出異常亮度的點，從而定位失效點的位置。
4.總結
我們認識了常用的集成電路失效分析技術和方法，而更深刻地了解各種技術的應用還需要在實際的分析工作當中積累經驗，再認識再提高。
參考文獻
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第二條為使企業享受國務院《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》(國發[*]18號，簡稱《若干政策》)及其配套的優惠政策，加速我國集成電路產業發展，根據《若干政策》第四十九條和有關規定，制定本辦法。
第三條國家發展和改革委員會、信息產業部、國家稅務總局和海關總署為集成電路企業認定主管部門(以下簡稱主管部門)，負責全國集成電路企業的認定管理工作，其職責是：
(一)組織集成電路企業認定機構(以下簡稱認定機構)開展認定工作；
(二)監督檢查全國集成電路企業的認定工作，審核批準認定結果；
(三)受理對認定結果、年審結果以及有關認定決定的異議申訴。
第四條主管部門共同委托中國半導體行業協會為集成電路企業認定機構，負責集成電路企業認定和年審工作。其職責是：
(一)受理集成電路企業認定申請；
(二)具體組織集成電路企業認定工作，提出認定意見；
(三)負責集成電路企業年度審查，并將結果報主管部門備案。
第五條申請認定的集成電路企業須滿足下列條件：
(一)是依法成立的從事集成電路芯片制造、封裝、測試以及6英寸(含)以上硅單晶材料生產的法人單位；
(二)具有與集成電路產品生產相適應的生產經營場所、軟硬件設施和人員等基本條件，其生產過程符合集成電路產品生產的基本流程、管理規范，具有保證產品生產的手段與能力；
(三)自產(含代工)集成電路產品銷售收入占企業當年總收入的60％以上(新建企業除外)；
(四)企業主管稅務機關認定企業無惡意欠稅或偷稅騙稅等違法行為。
第六條企業在申請集成電路企業認定時，須按認定實施細則要求提供相關資料，提交的資料及其內容必須真實有效。
第七條集成電路企業的認定，由企業向認定機構提出申請。認定機構應依照相關實施細則進行審理，并于15個工作日內向主管部門提出認定意見及相關資料。國家發展和改革委員會會同信息產業部、國家稅務總局、海關總署，于45個工作日內聯合發文確定或將否定意見告認定機構。
第八條認定結果在認定機構的網站及有關媒體上，接受社會監督。
第九條國家對認定的集成電路企業實行年度審查制度。企業向認定機構提交年度審查報告，認定機構出具年審意見報主管部門備案。
第十條企業應按規定的時限向認定機構提交年度審查報告，逾期未報的企業視為自動放棄認定資格；年審不合格的集成電路企業，其認定資格自下一年度起取消。
第十一條經認定的集成電路企業發生調整、分立、合并、重組等變更情況時，須在作出變更決定之日起30日內，向原認定機構辦理變更認定或重新申報手續。未經國家發展和改革委員會與有關部門批準同意變更認定的，取消企業的認定資格，停止享受有關優惠政策。
第十二條集成電路企業一經發現有偷稅等違法行為的，經核實后取消該企業認定資格，停止享受有關優惠政策。
第十三條經查明企業在申請集成電路企業認定時提供虛假材料及內容的，中止其認定申請；已認定的，撤銷其集成電路企業的認定資格，并予以通報，同時追回已減免稅收款項；認定機構3年內不再受理其認定申請。
第十四條經認定的集成電路企業，憑主管部門共同簽發的認定文件，到有關部門辦理享受有關優惠政策的手續。
為幫助開發人員降低系統成本、設計復雜度和減少元器件數量，Precision32系列產品提供極高的外設集成度，節省物料（BOM）成本高達1.34美元。Precision32系列產品可完全自定義I/O系統和引腳位置分配，為開發人員提供更靈活的替代方案。
利用SiliconLabs專有的雙crossbar技術和拖拽式GUI，開發人員能夠容易的選擇所需模擬和數字外設，并為外設分配引腳。而其他MCU通常預定義外設位置和引腳，導致潛在引腳沖突，迫使開發人員改變設計或使用更大、更昂貴的封裝。Precision32系列產品的模擬外設具有全溫度和電壓（低至1.8V）范圍內的額定特性，并通過嚴格測試。
SiliconLaboratories
省略
面向汽車電子應用的微控制器
RH850系列32位微控制器采用40nmMONOS（金屬氧化氮氧化硅）嵌入式閃存技術，是面向汽車電子應用的首款此類產品。RH850系列MCU采用全新的RH85032位內核，具有卓越的運算能力和超低功耗性能。
RH850可以滿足汽車行業中各個部分不斷變化的主要市場趨勢，其中包括從ASILA到ASILD等級的功能性安全要求、集成了信息安全功能以及為實現綠色環保（如減少二氧化碳排放量）而設計的超低功耗。RH850系列能夠以單核提供64MHz到320MHz的性能等級，并且多核系統將取得更高的整體性能。其嵌入式閃存的存儲范圍從256KB到8MB，更包含了模擬EEPROM功能的附加模塊，并可提供12.5萬次的擦寫操作，數據存儲至少達到20年。新產品系列將包含面向多種用途量身設計的產品陣容，并全面配備了RH850的32位內核架構。為了保證客戶軟件的兼容性，所有的產品系列都采用相同的平臺開發理念，在整個RH850一代產品中重復應用相同的IP。集成型開發環境（IDE）將能夠支持RH850全系列產品，使客戶能從目前使用的產品更順利移植到新平臺，并進一步降低了整體的開發成本。
RenesasTechnology
電話：021-6472-1001
省略
多模式多頻段功率放大器
ALT6181多模式、多頻段功率放大器經過專門優化，可以在LTE、WCDMA和CDMA信號調制模式下實現優異的性能，支持1、5、6、18、19和26頻段。該功率放大器針對所有調制模式，增強了效率、電流消耗和線性度三大指標，同時確保關鍵的諧波、噪聲和交調性能等指標能帶來優異的電話級性能。該MMPA解決方案采用了公司專有的InGaP-Plus技術和HELP架構，可在中低輸出功率水平實現最優效率，且無須使用DC/DC轉換器。如與DC/DC轉換器配合使用，MMPA則可提供更強的性能。
MMPA外形緊湊，面積僅為5mm×7.5mm，內置一個穩壓器和獨立的單端射頻鏈。同時內置高定向性耦合器，為獲得最優系統性能提供了保障。在GSM模式下，MMPA可以在所有功率水平下實現高效率，而在EDGE模式 下，則能在所有條件下達到各種苛刻的調制譜模板要求。
ANADIGICS
省略
移動用高清晰度音頻編解碼器
CX20752和CX20754遵從英特爾高清音頻規范1.1，其音頻保真性能超出了MicrosoftWLP4.0臺式機和筆記本電腦的premiumlogo要求。兩款編解碼器內置2個取樣頻率高達192kHz的24位立體聲數模轉換器和2個取樣頻率高達96kHz的24位立體聲模數轉換器，兩者均支持多數據流和實時通信應用。
CX20752和CX20754集成了立體聲無濾波器D類擴音器和專有的共模擾碼技術，可驅動每通道功效2W-rms、1%THD+N達到4Ω負荷。器件和揚聲器可受到直流電檢測負荷、高通濾波器、短路、限電流、溫度和其他更多保護。
內置的5帶寬硬件均衡器（EQ）和動態范圍控制（DRC）使揚聲器音效最佳而不失真，可從移動PC內部獨立于驅動和操作系統的揚聲器實現高品質音頻體驗。鎖定保護可使揚聲器和麥克風免受黑客干擾。
Conexant
電話：0755-2583-6380
省略
高性能P溝道MOSFET器件
FDMA905P和FDME905PT是具有低導通阻抗的MOSFET，這些器件具有優異的散熱性能和小占位尺寸，也非常適合線性模式應用。FDMA905P采用
多模多頻單芯片收發IC
MB86L11A2G/3G/4G多模多頻收發器具有支持電流損耗和RF參數的基準性能。采用小封裝的新品具有許多創新特性，包括強化功率控制、包絡跟蹤（ET）和天線諧調（AT）功能。包絡跟蹤技術極大地降低了無線電系統的功耗，同時還能改善發射機效率。天線諧調則優化了天線的整體輻射功率輸出。這兩個特性將優化移動設備的電池壽命。
高級編程接口（API）不僅縮短了工廠量產校準時間，還提供靈活變通的端口映射并增加了定制關鍵績效指標（KPI）。除此以外，MB86L11A還采用了富士通首創的SAW-less體系結構，可節省外部低噪聲放大器（LNAs）。
MB86L11A還具有其他特性，包括發射器上的8個RF輸出、IC上的9個直接RF輸入和6個分級RF輸入，可更為靈活地為不同市場提供所需要的映射端口和頻段。該收發器使用公開標準MIPIDigRFSM基帶接口，具有DigRF4G和DigRF3G接口，可連接既存的2G/3G基帶平臺和最新的多模式4G基帶。
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用于汽車的全新可調輸出低壓降穩壓器
NCV47700和NCV47701LDO穩壓器產品具有一個CSO輸出診斷引腳，可用于檢測空載和短時負荷。將電阻器與CSO相連提供了介于10mA和350mA之間的可調輸出電流等級，精度為±10%。ADJ接地引腳將NCV47700和 NCV47701配置為限流高端開關。器件集成高峰值輸入電壓容差、反向輸入電流保護以及過流和過溫保護功能，可以保護汽車應用免遭常見的惡劣操作環境之影響。此外，集成電流感應功能無須應用分立方案，而分立方案往往需要更多板空間和增加元件總數。
此兩器件還提供可調輸出電壓版本，包括電壓范圍為5～20V，精度為±6%的NCV47700以及精度為±3%的NCV47701。這兩款全新的LDO穩壓器IC的工作結溫都在-40～+150℃的范圍，符合甚或超越汽車行業的規范要求。
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低抖動SiGeVCSO產品
M675S02系列是針對低抖動和低相位噪聲時鐘生成的單頻、單輸出VCSO，可支持從500MHz～1GHz的基頻。與前幾代產品相比，新器件可提供更高的頻率。低抖動和相位噪聲可幫助減少整體誤碼率（BER），使器件十分適用于鎖相環應用、時鐘和數據恢復電路，以及其他電信和光纖網絡系統中的計時應用。
新型超低功耗MSP430微控制器平臺
與業界任何微控制器相比，“金剛狼”平臺在任意場合中均可提供最低的功耗-最低的運行功耗、待機功耗、存儲器功耗和外設功耗。例如：典型的電池供電型應用其99.9%的時間都處于待機模式，而基于“金剛狼”的微控制器在待機模式中的流耗僅為360nA，可使電池壽命延長一倍以上。
TI開發的ULL技術可提供10倍以上的漏電指標改善幅度及優化的混合信號性能。基于“金剛狼”的微控制器充分利用了世界上功耗最低的存儲器FRAM，運行模式中的工作電流可低于100μA/MHz，而且與基于閃存和EEPROM的微控制器相比，其每位能耗下降了250倍。除了這些功耗方面的優勢之外，FRAM還是100%非易失性的，這就使開發人員既能獲得SRAM的低功耗、高速度和靈活性，同時又可以享受到Flash重要的無供電存儲能力。此外，新型超低功耗架構大幅降低了電源消耗，具有6.5μs的快速喚醒時間和高精度外設。
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面向小型蜂窩基站及宏基站的多標準SoC
TCI6636是業界首款采用LTEAdvanced(LTE-A)技術的SoC，支持40MHz的LTE信號帶寬。同時，其獨特之處在于它還可作為WCDMA/LTE宏基站控制器器件，能支持多領域宏基站。它可優化容量增強特性的實現，如更高的帶寬、MIMO天線配置和高級接收器以及LTE用戶調度算法。TCI6636還支持同步雙模式，不僅可幫助運營商簡化從2G到3G甚至4G的升級工作，而且無須對每種標準采用專用設備，也無須進行現場物理升級，從而可降低資本支出與運營成本。
TCI6636基于TI最新可擴展型KeyStoneII多內核架構，并采用四核ARMCortex-A15RISC處理器，為開發人員帶來超過兩倍的容量及超高性能的同時，功耗僅為傳統RISC內核的一半。此外，該產品還采用28nm芯片工藝技術，集成8個TMS320C66x定點及浮點DSP內核，以及增強型數據包、安全與無線AccelerationPacs等一系列處理元件。上述這些處理組件與現場驗證的層一、層二、層三和傳輸處理功能以及運維與控制處理功能完美結合在一起，可顯著降低系統成本與功耗。
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電源PowerSources
全橋式PWM電動機驅動器
該IC專為電感負載的雙向脈寬調制(PWM)電流控制設計，能夠連續輸出高達±1.5A的電流，操作電壓達到50V。A4973內部固定停機時間PWM電流控制電路可用于將最大載荷電流調節為需要的數值。用戶可通過選擇輸入參考電壓和外部感應電阻設置峰值載荷電流限制。用戶可通過選擇外部RC計時網絡設置固定停機時間脈沖持續時間。內部電路保護包括因滯后引起的過熱關機、瞬態抑制二極管及交叉電流保護。
在“啟用”輸入持低的情況下，“相位”輸入通過選擇適當的源極與灌電流驅動器配對來控制負載電流的極性。“模式”輸入決定PWM電流控制電路是在慢電流衰減模式下（僅指選定的源極驅動器開關）還是在較快的電流衰減模式下（選定的源極與灌電流開關）操作。用戶可選擇空白窗口防止對PWM電流控制電路的錯誤觸發。在“啟用”輸入保持在高位時，所有的輸出驅動器禁用。睡眠模式可降低功率消耗。當在“制動”輸入中應用邏輯低時，制動功能啟用。這樣，兩個源極驅動器的“啟用”與“相位”變成“關”，且兩個灌電流驅動器變成“開”。該制動功能可用于動態制動電刷直流電動機。
Allegro
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智能手機LCD背光燈LED驅動器
AS3674背光燈驅動芯片家族補充了奧地利微電子照明管理單元的產品組合，單個的芯片就綜合了背光燈、智能燈光、環境光傳感器（ALS）等應用處理性能。AS3674是一款高效的2MHzDC/DC開關式升壓轉換器，可控制5組電流源，每組各驅動2個串聯的LED。其新增的靈活性體現在控制LED的電流時可由外部電阻器設定，單通道最高可達25mA。AS3490與AS3674具有同樣功能，但僅包含三組LED通道。
軟啟動的特點使AS3674更容易集成到對噪聲敏感的無線射頻系統中。AS3674由兩組輸入電路控制，也可用介于100～800Hz的PWM電路控制，實現1:2000的調光比。單通道兩個LED的配置結合2MHz的轉換器操作頻率，實現使用諸如4.7μH電感的微小外部組件。
AS3674工作電壓為2.5～5.5V，并且包括諸如低電壓封鎖、過流和過熱保護以及LED測試等一系列安全特性。AS3674和AS3490均采用節省空間的12-ballWL-CSP封裝（1.7mm×1.4mm×0.5mm，高0.4mm）
austriamicrosystems
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集成了ATCA電源輸入模塊的最新版DC/DC總線轉換器
ATCR250-48D12-03J轉換器是極少數集成了12V中間總線主通道輸出與3.3V管理總線次通道輸出的電源產品，其特點是可以執行ATCA控制和相關的監控功能。只要采用這款轉換器，便可大幅簡化-48V直流雙通道熱插拔冗余電源分配系統的設計，讓ATCA或其他電信系統的電路板兼具抗電磁干擾的濾波功能。
這款電源模塊不但性能穩定可靠，而且采用的小巧封裝及集成了許多創新功能，讓電信系統可以充分利用其電路板的空間，因此比其他傳統的設計更具成本效益。此外，這款電源模塊還可支持許多電源接口功能，其中包括OR-ing控制、濾波和浪涌電流控制，而電源管理功能還配備了I2C串行總線通信接口。
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4通道數字電源管理器
LTC2974以4個或更多電源軌實現完整的數字電源系統管理。其運用一個I2C接口和PMBus命令集來監視并控制正或負電源，可在電源系統設計、開發、生產和故障分析時，提供快速故障查找和調試功能。任何具“運行”引腳的電源都可利用跟蹤或基于時間的事件進行排序和控制。LTC2974的4個通道同時地監視電壓和電流以及外部溫度，因此用戶可以補償移位MOSFET的RDS(ON)或電感器DCR。每個電源都可以隨溫度變化進行裕度調節和微調， 利用一個數字伺服環路測量軌電壓并連續地調節，以保持準確度不變。LTC2974的所有電源功能都以不打任何折扣的準確度執行，總體未調節誤差好于±0.省略
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高速4A與5A雙通道輸出MOSFET驅動器
UCC27210與UCC27211是業界首批120V啟動高低側雙通道輸出 MOSFET驅動器，可在解決驅動器輸入-10V直流電(VDC)抗擾度問題的同時，提供高達4A的輸出電流。這兩款驅動器提供18ns傳播延遲，支持多種高頻率半橋及全橋電源拓撲。
主要技術特性：0.9Ω上拉及下拉電阻可最大限度降低MOSFET轉換通過米勒效應平臺時的開關損耗；增強的系統可靠性：輸入支持～10V直流，無須整流二極管便可實現到柵極驅動變壓器的直接接口連接。
TexasInstruments
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完全可編程的集成型數字控制
數字控制功能可幫助設計人員進一步發揮電源系統作用，包括在多個平臺上重復使用硬件設計，針對每項應用調整性能并控制參數以實現多功能等，進而加速產品上市進程。為實現這一目標，UCD3138在小型6mm×6mm封裝中整合了強大的32位微處理器、高速高精度數據轉換器、多個可編程硬件控制環路以及不同的通信引擎。
UCD3138的主要特性與優勢：具有數項可提高效率的控制功能，包括同步FET軟開關控制、動態相位切換、動態頻率調整以及動態模式開關等；支持單相位、雙相位交錯式或無橋功率因數校正、硬開關全橋、相移全橋、共振LLC以及其他拓撲；可實施峰值電流模式控制、逐周期峰值電流限制、高速輸入電壓前反饋以及過壓、過流及過溫保護等。
測試和測量
支持10Gb/s和40Gb/s以太網協議分析的測試驗證平臺
SierraNetM408協議測試系統是一套先進、高性價比的10Gb/s和40Gb/s以太網協議分析平臺。它包括FibreChanneloverEthernet(FCoE)和iSCSI等應用。基于力科全新的高級分析平臺，SierraNet能夠分析以太網總線活動，為用戶識別協議沖突、錯誤恢復、性能和其他鏈接條件。SierraNet是一個基于硬件的10Gb/s和40Gb/s以太網協議分析儀，可以幫助設計者加快以太網技術的開發和測試，以確保正確的功能、性能和互操作性。SierraNet也是一個面向未來的測試工具，能夠支持當前正在開發10GE，并計劃未來開發40GE產品的用戶。
SierraNet提供了一些創新性的功能，為用戶提供極佳體驗。它硬件上配備了SFP+和QSFP端口用以支持10GE和40GE。這套系統支持網速測量，并提供比其他分析儀多兩倍的捕獲緩存。每一個端口提供非重定時、全雙工直通通道，確保測試平臺對被測系統盡量是透明的。SierraNet也包含一個1GE接口可以用于控制分析儀，也包含一個5Gb/s的USB3.0接口用于即插即用的控制。SierraNet有易于理解的控制面板，以及指示各端口連接情況的LED燈。另外，SierraNet能夠對back-toback事件、使用計數等進行多級觸發和過濾，幫助以太網協議測試工程師快速捕獲、查找和分析問題。
LeCroy
電話：010-8280-0318
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帶數字電壓表(DVM)功能的示波器
安捷倫為其InfiniiVision3000X系列示波器添加了1GHz帶寬的4款產品，該系列1GHz示波器的起步價和業內其他制造商提供的500MHz帶寬示波器的價格相近。
增加4款1GHz帶寬3000X系列示波器，使得InfiniiVision2000X和3000X成員增加到30款，能夠滿足眾多客戶對該主流示波器的迫切需求。尤其是多合一的綜合性能、較低的價位和創新特性（例如內置信號源）不斷贏得工程師的贊譽，其中，3000X系列示波器的內置任意波形發生器和示波器構成激勵響應測量系統，簡單易用的同時也拓展了一些新的應用和測量領域。
隨同這4款1GHz帶寬示波器的，同時推出1GHz有源探頭N2795A，專為匹配3000X系列示波器的性能需求而設計，因設計指標留有裕量，再加上3000X系列1GHz帶寬示波器的頻響是最大平坦度頻響，可保證3000X1GHz示波器配上N2795A后的系統帶寬是1GHz，而且N2795A作為有源探頭，其負載效應小，性能遠優于無源探頭，同 時其價位與同等無源探頭相當。
此外，2000X和3000X系列現在都提供電壓表和計數器選件，其中電壓表（DVM）是3位的，計數器是5位的，工作時可與示波器共享探頭。電壓表和計數器的測量與示波器的觸發系統無關，他們是獨立的硬件，允許工程師通過相同的連接執行DVM和觸發示波器測量。
AgilentTechnologies
電話：800-810-0189
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用于測試40/100Gb/s技術的完全集成的光調制分析儀
AgilentN4392A是一款便攜式、完全集成的光調制分析儀配有大尺寸顯示屏，可加快深入分析復雜調制光信號的速度。緊湊的設計和適中的價格使該光調制分析儀更適合所有工程師使用，以便在40/100Gb/s相干發射機和接收機開發和制造過程中對復雜的調制光信號進行分析。
N4392A使得工程師可以很輕松地根據業界100Gb/s相干傳輸標準表征元器件，例如同相正交調制器和集成的相干接收機。集成的設計顯著加快了設置速度，并且使用戶無須再為配置耗費精力，可以集中應對設計挑戰。內置性能驗證和重校準功能可使用戶對測試結果充滿信心，并延長建議的重校準周期，以提高運行時間和降低擁有成本。
除了其他光調制分析儀當前提供的特性，N4392A還可提供4個差分射頻輸入通道，幫助工程師表征集成的相干光 接收機。工程師能夠在需要時正確地分析信號，更深入地分析復雜調制光信號的特性，避免設計中可能出現的陷阱。
AgilentTechnologies
電話：800-810-0189
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超絕緣計SM8710
超絕緣計SM8710適用于測量手機等電子設備上裝配的多層陶瓷電容（MLCC）。SM7810針對MLCC的產線，檢查泄漏電流的時間比原先縮短了30%，達到6.8ms的超快速度，檢測速度提高的同時，大幅縮短了檢查時間，提高了工作效率。相比以往產品配備4個測量通道，SM7810配備了8個測量通道，因此，每次檢測的MLCC的數量都成倍增長，提高了檢查效率。另外，SM7810使用1mA的大電流量程時，能夠迅速判斷大容量的MLCC是否良好。利用SM7810在進行高速測量時，也能進行接觸檢查，這能夠防止測量探頭接觸不良的誤判斷，因此，提高了檢查的可靠性。
HIOKI
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經濟型數字示波器
DS2000系列經濟型數字示波器立足于RIGOL研發的新一代設計平臺，繼承了RIGOLDS6000、DS4000主流示波器的眾多優點，各項指標在同類產品中均力拔頭籌，在價格方面性價比也十分突出。
DS2000系列示波器采用了RIGOL獨創的UltraVision技術，可實現深存儲，高波形捕獲率，實時波形錄制及回放，多級灰度顯示等功能。DS2000系列配置200MHz/100MHz/70MHz三個級別帶寬，實時采樣率高達2GSa/s，存儲深度最大可達56Mpts，波形捕獲率達50000個波形每秒，硬件實時波形不間斷錄制和波形分析功能支持錄制高達65000個波形，多達256級的灰度顯示等。DS2000系列示波器還擁有豐富的觸發功能，標配10種觸發，除常見的脈寬觸發、視頻觸發、欠幅觸發等，還標配三種總線觸發RS232/UART觸發、I2C觸發、SPI觸發，對于高級應用客戶，可選配更多的觸發功能，如超幅觸發、第N邊沿觸發、USB觸發等。也可選配RS232、I2C、SPI常用總線解碼功能。在接口方面，DS2000系列示波器的接口也很豐富，有USBHost、USBDevice、LAN(LXI)、AUX接口等。
在產品外型上，DS2000采用不對稱設計理念，造型新穎，外觀時尚，它還擁有8英寸高清的TFT（800×480顯示分辨率）顯示屏，顯示效果清晰明亮，觀察波形得心應手。
RIGOL
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軟件/開發工具
面向EZ-USBFX3USB3.0控制器的圖形化軟件設計工具
賽普拉斯半導體公司推出面向EZUSBFX3控制器的GPIFIIDesigner軟件，用以支持SuperSpeedUSB3.0功能。GPIF（通用可編程接口）IIDesigner可為設計人員提供功能強大且易于使用的圖形界面，用于配置EZUSBFX3的可編程GPIFII接口，可以與任何需要USB連接功能的微控制器、ASIC、FPGA、圖像傳感器或類似器件進行通信。EZ-USBFX3是一款通過認證的可編程USB3.0器件控制器，可向幾乎任何系統添加USBSuperSpeed連接功能。
該工具界面直觀，只包含三個簡單易用的窗口。一是配置窗口（ConfigurationWindow），可定義I/O和控制線；二是狀態機窗口（StateMachineCanvas），可定義接口狀態機；三是時序仿真窗口（TimingSimulationWindow），可驗證接口的時序。此外，該工具還可提供業界標準的項目管理功能，可幫助FX3客戶保存GPIFII接口設計并重復使用。該工具生成的C語言頭文件可與采用FX3API庫的FX3應用進行集成，并與標準ARM工具配合使用。
CypressSemiconductor
