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首頁 SCI期刊 工程技術 中科院4區 期刊介紹(非官網)
Journal Of Semiconductor Technology And Science雜志

Gold OA文章占比:0.00%

OA被引用占比:0

開源占比:0

研究類文章占比:97.30%

Journal Of Semiconductor Technology And Science

國際標準簡稱:J SEMICOND TECH SCI

人氣 550

《Journal Of Semiconductor Technology And Science》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的English學術期刊,創刊于2001年,由Institute of Electronics Engineers of Korea出版商出版,出版周期6 issues/year。該刊發文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領域,旨在及時、準確、全面地報道國內外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領域的科學研究等工作中取得的經驗、科研成果、技術革新、學術動態等。該刊已被SCIE數據庫收錄,在中科院最新升級版分區表中,該刊分區信息為大類學科工程技術4區,2023年影響因子為0.5。

  • 4區

    中科院分區
  • Q4

    JCR分區
  • SCIE

    期刊收錄
  • 是否預警
ISSN:1598-1657
出版地區:SOUTH KOREA
出版周期:6 issues/year
E-ISSN:2233-4866
創刊時間:2001
出版語言:English
是否OA開放訪問:未開放
研究方向:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED
影響因子:0.5
年發文量:37
出版商:Institute of Electronics Engineers of Korea
平均審稿速度: 較慢,6-12周

Journal Of Semiconductor Technology And Science期刊簡介

Journal of Semiconductor Technology and Science is published to provide a forum for R&D people involved in every aspect of the integrated circuit technology, i.e., VLSI fabrication process technology, VLSI device technology, VLSI circuit design and other novel applications of this mass production technology. When IC was invented, these people worked together in one place. However, as the field of IC expanded, our individual knowledge became narrower, creating different branches in the technical society, which has made it more difficult to communicate as a whole. The fisherman, however, always knows that he can capture more fish at the border where warm and cold-water meet. Thus, we decided to go backwards gathering people involved in all VLSI technology in one place.

Journal Of Semiconductor Technology And Science中科院分區

中科院分區2023年12月升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區

中科院分區2022年12月升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區

中科院分區2021年12月舊的升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區

中科院分區2021年12月基礎版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區

中科院分區2021年12月升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區

中科院分區2020年12月舊的升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區

中科院分區:中科院分區是SCI期刊分區的一種,是由中國科學院國家科學圖書館制定出來的分區。主要有兩個版本,即基礎版和升級版。2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表推出了升級版,實現了基礎版和升級版的并存過渡;升級版是對基礎版的延續和改進,將期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。

JCR分區(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 329 / 352
6.7%
學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179
2.5%
按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 342 / 354
3.53%
學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 176 / 179
1.96%

JCR分區:JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身為湯森路透)開發。JCR沒有設置大類,只將期刊分為176個具體學科,也就是中科院分區中的小類學科。基于不同學科的當年影響因子高低進行排序,將期刊的數量均勻分為四個部分,Q1區代表學科分類中影響因子排名前25%的期刊,以此類推,Q2區為前25%-50%期刊,Q3區為前50%-75%期刊,Q4區為75%以后期刊。

CiteScore 指數(2024年最新版)

  • CiteScore:0.9
  • SJR:0.181
  • SNIP:0.216

CiteScore排名:

學科類別 分區 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q4 654 / 797
18%
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 248 / 284
12%

CiteScore值計算方式:例如2024公布的CiteScore是將統計在 2020年-2023年間年所發表文章的引用次數除以在 2020年-2023年間所發表的發文總數。

CiteScore數據來源:是由全球著名學術出版商Elsevier(愛思唯爾)基于其Scopus數據庫推出的期刊評價指標。CiteScore指數以四年區間為基準來計算每本期刊的平均被引用次數,并提供期刊領域排名、期刊分區的相關信息,它的作用是測量期刊的篇均影響力。

其它數據分析對比

近年中科院分區趨勢圖

近年IF值(影響因子)趨勢圖

影響因子:是美國科學信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數據。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。自1975年以來,每年定期發布于“期刊引證報告”(JCR)。

發文統計(統計區間:2023年-2024年)

機構名稱 發文量
HANYANG UNIVERSITY 24
HONGIK UNIVERSITY 21
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (S... 17
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF ... 15
CHUNGNAM NATIONAL UNIVERSITY 14
KWANGWOON UNIVERSITY 14
SAMSUNG 14
EWHA WOMANS UNIVERSITY 12
SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKK... 12
SOGANG UNIVERSITY 10
國家/地區 發文量
South Korea 220
CHINA MAINLAND 14
USA 8
India 5
Japan 3
Taiwan 3
Vietnam 3
England 1
Indonesia 1
Iran 1
文章引用名稱 引用次數
A 4-Channel 8-Gb/s/ch VCSEL ... 4
A Watt-level Broadband Power... 4
A 3-Gb/s Equalizer with an A... 4
Gallium Nitride PIN Avalanch... 3
Processing and Characterizat... 3
Investigation on Phase-chang... 3
Properties of Resistive Swit... 3
Xenon Flash Lamp Annealing o... 3
Recessed AlGaN/GaN UV Photot... 2
Investigation of Wafer Warpa... 2
被引用期刊名稱 數量
J SEMICOND TECH SCI 26
J NANOSCI NANOTECHNO 24
MICROMACHINES-BASEL 17
IEEE ACCESS 13
ELECTRONICS-SWITZ 8
IEEE ELECTR DEVICE L 8
MATER RES EXPRESS 7
IEEE J ELECTRON DEVI 6
IEEE T ELECTRON DEV 6
JPN J APPL PHYS 6
引用期刊名稱 數量
IEEE J SOLID-ST CIRC 114
IEEE T ELECTRON DEV 63
IEEE ELECTR DEVICE L 45
IEEE T CIRCUITS-I 45
APPL PHYS LETT 43
PHYS REV B 33
J APPL PHYS 30
IEEE T CIRCUITS-II 29
J SEMICOND TECH SCI 26
IEEE T VLSI SYST 16

投稿注意事項

文章要求:

1、建議稿件控制10頁以上,文章撰寫語言為英語;(單欄格式,單倍行距,內容10號字體,文稿類型包含:原創研究(Original Research)、案例報告(Case Report)、文獻綜述(Literature Review)等;文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

2、稿件重復率控制10%以內,論文務必保證原創性、圖標、公式、引文等要素齊備,保證附屬資料的完整。已發表或引用過度的文章將不會被出版和檢索,禁止一稿多投,拒絕抄襲、機械性的稿件。

3、稿件必須有較好的英語表達水平,有圖,有表,有公式,有數據或設計,有算法(方案,模型),實驗,仿真等;參考文獻控制25條以上,參考文獻引用一半以上控制在近5年以內。

圖片和圖表要求:

1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW壓縮。

2、文件大小最大不超過20MB,不要以單個文件的形式上傳數據。

3、彩色圖片的分辨率≥300dpi;黑白圖片的分辨率在≥500dpi;line art圖片類型的分辨率≥1000dpi;色彩模式建議采用RGB,除非期刊注明要CMYK。

4、線條不要細于0.25pt,也不能太粗,超過1.5pt,過細或過粗都影響美觀。

5、表格一般和manuscrript放置在一個word文檔里部分期刊 需要單獨上傳表格。

作者信息:

1、包括作者姓名、最高學位,作者單位(精確到部門),郵箱,地址,郵編,關鍵詞,內容,總結,項目基金,參考文獻,作者相片+簡介(一定要確保作者信息準確無誤,提交稿件之后這部分不能再作改動)。

更多征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站專注期刊咨詢服務十年,確保SCI檢索,稿件信息安全保密,合乎學術規范不成功不收費,詳情請咨詢客服

雜志社聯系方式

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免責聲明

若用戶需要出版服務,請聯系出版商:RM #907 SCIENCE & TECHNOLOGY NEW BLDG, 635-4 YUCKSAM-DONG, SEOUL, SOUTH KOREA, KANGNAM-KU, 135-703。

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