來源：學(xué)術(shù)之家整理 2025-03-18 15:40:09
《Journal Of Semiconductor Technology And Science》中文名稱：《半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志》，創(chuàng)刊于2001年，由Institute of Electronics Engineers of Korea出版商出版，出版周期6 issues/year。
《半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志》的出版旨在為參與集成電路技術(shù)各個方面的研發(fā)人員提供一個論壇，即 VLSI 制造工藝技術(shù)、VLSI 設(shè)備技術(shù)、VLSI 電路設(shè)計(jì)以及這種大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)的其他新應(yīng)用。當(dāng) IC 被發(fā)明時，這些人在一個地方一起工作。然而，隨著 IC 領(lǐng)域的擴(kuò)大，我們的個人知識變得越來越狹窄，在技術(shù)社會中產(chǎn)生了不同的分支，這使得整體交流變得更加困難。然而，漁夫總是知道他可以在暖水和冷水交匯的邊界捕獲更多的魚。因此，我們決定倒退，將所有參與 VLSI 技術(shù)的人員聚集在一個地方。
旨在及時、準(zhǔn)確、全面地報(bào)道國內(nèi)外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領(lǐng)域的科學(xué)研究等工作中取得的經(jīng)驗(yàn)、科研成果、技術(shù)革新、學(xué)術(shù)動態(tài)等。
| 機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 |
| HANYANG UNIVERSITY | 24 |
| HONGIK UNIVERSITY | 21 |
| SEOUL NATIONAL UNIVERSI... | 17 |
| KOREA ADVANCED INSTITUT... | 15 |
| CHUNGNAM NATIONAL UNIVE... | 14 |
| KWANGWOON UNIVERSITY | 14 |
| SAMSUNG | 14 |
| EWHA WOMANS UNIVERSITY | 12 |
| SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY... | 12 |
| SOGANG UNIVERSITY | 10 |
| 國家/地區(qū) | 發(fā)文量 |
| South Korea | 220 |
| CHINA MAINLAND | 14 |
| USA | 8 |
| India | 5 |
| Japan | 3 |
| Taiwan | 3 |
| Vietnam | 3 |
| England | 1 |
| Indonesia | 1 |
| Iran | 1 |
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| A 4-Channel 8-Gb/s/ch VCSEL ... | 4 |
| A Watt-level Broadband Power... | 4 |
| A 3-Gb/s Equalizer with an A... | 4 |
| Gallium Nitride PIN Avalanch... | 3 |
| Processing and Characterizat... | 3 |
| Investigation on Phase-chang... | 3 |
| Properties of Resistive Swit... | 3 |
| Xenon Flash Lamp Annealing o... | 3 |
| Recessed AlGaN/GaN UV Photot... | 2 |
| Investigation of Wafer Warpa... | 2 |
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| J SEMICOND TECH SCI | 26 |
| J NANOSCI NANOTECHNO | 24 |
| MICROMACHINES-BASEL | 17 |
| IEEE ACCESS | 13 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 8 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 8 |
| MATER RES EXPRESS | 7 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 6 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 6 |
| JPN J APPL PHYS | 6 |
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 114 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 63 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 45 |
| IEEE T CIRCUITS-I | 45 |
| APPL PHYS LETT | 43 |
| PHYS REV B | 33 |
| J APPL PHYS | 30 |
| IEEE T CIRCUITS-II | 29 |
| J SEMICOND TECH SCI | 26 |
| IEEE T VLSI SYST | 16 |
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