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首頁 中科院2區(qū) 期刊介紹(非官網(wǎng))
Ieee Electron Device Letters雜志 加入收藏

Gold OA文章占比:4.62%

OA被引用占比:0

開源占比:0.057

研究類文章占比:100.00%

Ieee Electron Device Letters

國際標準簡稱:IEEE ELECTR DEVICE L

人氣 2462

《Ieee Electron Device Letters》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的English學術期刊,創(chuàng)刊于1980年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,出版周期Monthly。該刊發(fā)文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領域,旨在及時、準確、全面地報道國內(nèi)外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領域的科學研究等工作中取得的經(jīng)驗、科研成果、技術革新、學術動態(tài)等。該刊已被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄,在中科院最新升級版分區(qū)表中,該刊分區(qū)信息為大類學科工程技術2區(qū),2023年影響因子為4.1。

  • 2區(qū)

    中科院分區(qū)
  • Q2

    JCR分區(qū)
  • SCIE

    期刊收錄
  • 是否預警
ISSN:0741-3106
出版地區(qū):UNITED STATES
出版周期:Monthly
E-ISSN:1558-0563
創(chuàng)刊時間:1980
出版語言:English
是否OA開放訪問:未開放
研究方向:工程技術-工程:電子與電氣
影響因子:4.1
年發(fā)文量:477
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
平均審稿速度: 約1.3個月

Ieee Electron Device Letters期刊簡介

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

Ieee Electron Device Letters中科院分區(qū)

中科院分區(qū)2023年12月升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)

中科院分區(qū)2022年12月升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)

中科院分區(qū)2021年12月舊的升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)

中科院分區(qū)2021年12月基礎版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)

中科院分區(qū)2021年12月升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)

中科院分區(qū)2020年12月舊的升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)

中科院分區(qū):中科院分區(qū)是SCI期刊分區(qū)的一種,是由中國科學院國家科學圖書館制定出來的分區(qū)。主要有兩個版本,即基礎版和升級版。2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表推出了升級版,實現(xiàn)了基礎版和升級版的并存過渡;升級版是對基礎版的延續(xù)和改進,將期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。

JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 94 / 352
73.4%
按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 77 / 354
78.39%

JCR分區(qū):JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身為湯森路透)開發(fā)。JCR沒有設置大類,只將期刊分為176個具體學科,也就是中科院分區(qū)中的小類學科。基于不同學科的當年影響因子高低進行排序,將期刊的數(shù)量均勻分為四個部分,Q1區(qū)代表學科分類中影響因子排名前25%的期刊,以此類推,Q2區(qū)為前25%-50%期刊,Q3區(qū)為前50%-75%期刊,Q4區(qū)為75%以后期刊。

CiteScore 指數(shù)(2024年最新版)

  • CiteScore:8.2
  • SJR:1.25
  • SNIP:1.5

CiteScore排名:

學科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q1 128 / 797
84%
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 51 / 284
82%

CiteScore值計算方式:例如2024公布的CiteScore是將統(tǒng)計在 2020年-2023年間年所發(fā)表文章的引用次數(shù)除以在 2020年-2023年間所發(fā)表的發(fā)文總數(shù)。

CiteScore數(shù)據(jù)來源:是由全球著名學術出版商Elsevier(愛思唯爾)基于其Scopus數(shù)據(jù)庫推出的期刊評價指標。CiteScore指數(shù)以四年區(qū)間為基準來計算每本期刊的平均被引用次數(shù),并提供期刊領域排名、期刊分區(qū)的相關信息,它的作用是測量期刊的篇均影響力。

其它數(shù)據(jù)分析對比

近年中科院分區(qū)趨勢圖

近年IF值(影響因子)趨勢圖

影響因子:是美國科學信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數(shù)據(jù)。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。自1975年以來,每年定期發(fā)布于“期刊引證報告”(JCR)。

發(fā)文統(tǒng)計(統(tǒng)計區(qū)間:2023年-2024年)

機構(gòu)名稱 發(fā)文量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 84
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYS... 70
XIDIAN UNIVERSITY 56
NATIONAL YANG MING CHIAO TUN... 49
HONG KONG UNIVERSITY OF SCIE... 48
PEKING UNIVERSITY 42
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCI... 42
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLO... 36
IMEC 35
NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERS... 35
國家/地區(qū) 發(fā)文量
CHINA MAINLAND 577
USA 282
South Korea 174
Taiwan 123
Japan 65
England 60
India 49
Belgium 37
GERMANY (FED REP GER) 37
France 32
文章引用名稱 引用次數(shù)
Enhancement-Mode Ga2O3 Verti... 38
An Artificial Neuron Based o... 36
Recessed-Gate Enhancement-Mo... 28
Spin Logic Devices via Elect... 27
Current Aperture Vertical be... 27
beta-Ga2O3 Delta-Doped Field... 26
Vertical Ga2O3 Schottky Barr... 24
1.85 kV Breakdown Voltage in... 24
Vertical Ga(2)O(3 )Schottky ... 23
First Demonstration of a Log... 22
被引用期刊名稱 數(shù)量
IEEE T ELECTRON DEV 1587
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
JPN J APPL PHYS 594
APPL PHYS LETT 460
IEEE J ELECTRON DEVI 445
APPL PHYS EXPRESS 366
SEMICOND SCI TECH 277
J APPL PHYS 268
SOLID STATE ELECTRON 257
ECS J SOLID STATE SC 249
引用期刊名稱 數(shù)量
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
IEEE T ELECTRON DEV 865
APPL PHYS LETT 812
J APPL PHYS 318
ADV MATER 217
NANO LETT 150
ACS APPL MATER INTER 142
SCI REP-UK 138
NATURE 132
APPL PHYS EXPRESS 119

投稿注意事項

文章要求:

1、建議稿件控制10頁以上,文章撰寫語言為英語;(單欄格式,單倍行距,內(nèi)容10號字體,文稿類型包含:原創(chuàng)研究(Original Research)、案例報告(Case Report)、文獻綜述(Literature Review)等;文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

2、稿件重復率控制10%以內(nèi),論文務必保證原創(chuàng)性、圖標、公式、引文等要素齊備,保證附屬資料的完整。已發(fā)表或引用過度的文章將不會被出版和檢索,禁止一稿多投,拒絕抄襲、機械性的稿件。

3、稿件必須有較好的英語表達水平,有圖,有表,有公式,有數(shù)據(jù)或設計,有算法(方案,模型),實驗,仿真等;參考文獻控制25條以上,參考文獻引用一半以上控制在近5年以內(nèi)。

圖片和圖表要求:

1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW壓縮。

2、文件大小最大不超過20MB,不要以單個文件的形式上傳數(shù)據(jù)。

3、彩色圖片的分辨率≥300dpi;黑白圖片的分辨率在≥500dpi;line art圖片類型的分辨率≥1000dpi;色彩模式建議采用RGB,除非期刊注明要CMYK。

4、線條不要細于0.25pt,也不能太粗,超過1.5pt,過細或過粗都影響美觀。

5、表格一般和manuscrript放置在一個word文檔里部分期刊 需要單獨上傳表格。

作者信息:

1、包括作者姓名、最高學位,作者單位(精確到部門),郵箱,地址,郵編,關鍵詞,內(nèi)容,總結(jié),項目基金,參考文獻,作者相片+簡介(一定要確保作者信息準確無誤,提交稿件之后這部分不能再作改動)。

更多征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站專注期刊咨詢服務十年,確保SCI檢索,稿件信息安全保密,合乎學術規(guī)范不成功不收費,詳情請咨詢客服

雜志社聯(lián)系方式

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141

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國內(nèi)期刊
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