來源：學術之家整理 2025-03-18 15:36:49
《Ieee Electron Device Letters》中文名稱：《IEEE 電子器件字母》，創刊于1980年，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版，出版周期Monthly。
IEEE Electron Device Letters 發表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設計、性能和可靠性有關的原創性和重要貢獻，涉及絕緣體、金屬、有機材料、微等離子體、半導體、量子效應結構、真空器件和新興材料，應用于生物電子學、生物醫學電子學、計算、通信、顯示器、微機電學、成像、微執行器、納米電子學、光電子學、光伏、功率集成電路和微傳感器。
旨在及時、準確、全面地報道國內外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領域的科學研究等工作中取得的經驗、科研成果、技術革新、學術動態等。
| 機構名稱 | 發文量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIE... | 84 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNI... | 70 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
| NATIONAL YANG MING CHIA... | 49 |
| HONG KONG UNIVERSITY OF... | 48 |
| PEKING UNIVERSITY | 42 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONI... | 42 |
| INDIAN INSTITUTE OF TEC... | 36 |
| IMEC | 35 |
| NATIONAL SUN YAT SEN UN... | 35 |
| 國家/地區 | 發文量 |
| CHINA MAINLAND | 577 |
| USA | 282 |
| South Korea | 174 |
| Taiwan | 123 |
| Japan | 65 |
| England | 60 |
| India | 49 |
| Belgium | 37 |
| GERMANY (FED REP GER) | 37 |
| France | 32 |
| 文章引用名稱 | 引用次數 |
| Enhancement-Mode Ga2O3 Verti... | 38 |
| An Artificial Neuron Based o... | 36 |
| Recessed-Gate Enhancement-Mo... | 28 |
| Spin Logic Devices via Elect... | 27 |
| Current Aperture Vertical be... | 27 |
| beta-Ga2O3 Delta-Doped Field... | 26 |
| Vertical Ga2O3 Schottky Barr... | 24 |
| 1.85 kV Breakdown Voltage in... | 24 |
| Vertical Ga(2)O(3 )Schottky ... | 23 |
| First Demonstration of a Log... | 22 |
| 被引用期刊名稱 | 數量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| JPN J APPL PHYS | 594 |
| APPL PHYS LETT | 460 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
| APPL PHYS EXPRESS | 366 |
| SEMICOND SCI TECH | 277 |
| J APPL PHYS | 268 |
| SOLID STATE ELECTRON | 257 |
| ECS J SOLID STATE SC | 249 |
| 引用期刊名稱 | 數量 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
| APPL PHYS LETT | 812 |
| J APPL PHYS | 318 |
| ADV MATER | 217 |
| NANO LETT | 150 |
| ACS APPL MATER INTER | 142 |
| SCI REP-UK | 138 |
| NATURE | 132 |
| APPL PHYS EXPRESS | 119 |
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