Gold OA文章占比:16.37%
OA被引用占比:0.1270...
開源占比:0.2239
研究類文章占比:96.45%
國際標準簡稱:J VAC SCI TECHNOL B
人氣 580
《Journal Of Vacuum Science & Technology B》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的English學術期刊,創刊于1991年,由A V S AMER INST PHYSICS出版商出版,出版周期Bimonthly。該刊發文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領域,旨在及時、準確、全面地報道國內外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領域的科學研究等工作中取得的經驗、科研成果、技術革新、學術動態等。該刊已被SCIE數據庫收錄,在中科院最新升級版分區表中,該刊分區信息為大類學科工程技術4區,2023年影響因子為1.5。
Journal of Vacuum Science & Technology B emphasizes processing, measurement and phenomena associated with micrometer and nanometer structures and devices. Processing may include vacuum processing, plasma processing and microlithography among others, while measurement refers to a wide range of materials and device characterization methods for understanding the physics and chemistry of submicron and nanometer structures and devices.
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
中科院分區:中科院分區是SCI期刊分區的一種,是由中國科學院國家科學圖書館制定出來的分區。主要有兩個版本,即基礎版和升級版。2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表推出了升級版,實現了基礎版和升級版的并存過渡;升級版是對基礎版的延續和改進,將期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。
按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 252 / 352 |
28.6%
|
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.2%
|
學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 134 / 179 |
25.4%
|
按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 278 / 354 |
21.61%
|
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.21%
|
學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 145 / 179 |
19.27%
|
JCR分區:JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身為湯森路透)開發。JCR沒有設置大類,只將期刊分為176個具體學科,也就是中科院分區中的小類學科。基于不同學科的當年影響因子高低進行排序,將期刊的數量均勻分為四個部分,Q1區代表學科分類中影響因子排名前25%的期刊,以此類推,Q2區為前25%-50%期刊,Q3區為前50%-75%期刊,Q4區為75%以后期刊。
近年中科院分區趨勢圖
近年IF值(影響因子)趨勢圖
影響因子:是美國科學信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數據。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。自1975年以來,每年定期發布于“期刊引證報告”(JCR)。
文章引用名稱 | 引用次數 |
Review Article: Synthesis, p... | 21 |
Review Article: Atomic layer... | 14 |
Tutorial on interpreting x-r... | 9 |
Future prospects of fluoride... | 7 |
Realizing ferroelectric Hf0.... | 7 |
High-density energy storage ... | 6 |
Minimal domain size necessar... | 6 |
Direct metal etch of rutheni... | 6 |
Reduced twinning and surface... | 6 |
Atomic force microscope inte... | 6 |
被引用期刊名稱 | 數量 |
JPN J APPL PHYS | 267 |
J APPL PHYS | 249 |
J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
APPL SURF SCI | 152 |
J VAC SCI TECHNOL A | 141 |
ACS APPL MATER INTER | 126 |
NANOTECHNOLOGY | 121 |
APPL PHYS LETT | 112 |
ECS J SOLID STATE SC | 105 |
MATER RES EXPRESS | 94 |
引用期刊名稱 | 數量 |
APPL PHYS LETT | 314 |
J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
J APPL PHYS | 198 |
PHYS REV B | 108 |
J VAC SCI TECHNOL A | 80 |
NANO LETT | 77 |
THIN SOLID FILMS | 66 |
APPL SURF SCI | 62 |
MICROELECTRON ENG | 62 |
NANOTECHNOLOGY | 62 |
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2、稿件重復率控制10%以內,論文務必保證原創性、圖標、公式、引文等要素齊備,保證附屬資料的完整。已發表或引用過度的文章將不會被出版和檢索,禁止一稿多投,拒絕抄襲、機械性的稿件。
3、稿件必須有較好的英語表達水平,有圖,有表,有公式,有數據或設計,有算法(方案,模型),實驗,仿真等;參考文獻控制25條以上,參考文獻引用一半以上控制在近5年以內。
圖片和圖表要求:1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW壓縮。
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4、線條不要細于0.25pt,也不能太粗,超過1.5pt,過細或過粗都影響美觀。
5、表格一般和manuscrript放置在一個word文檔里部分期刊 需要單獨上傳表格。
作者信息:1、包括作者姓名、最高學位,作者單位(精確到部門),郵箱,地址,郵編,關鍵詞,內容,總結,項目基金,參考文獻,作者相片+簡介(一定要確保作者信息準確無誤,提交稿件之后這部分不能再作改動)。
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A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502
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中科院分區 4區
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