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研究類文章占比：91.00%
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)稱：MICROELECTRON ENG
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《Microelectronic Engineering》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的English學(xué)術(shù)期刊，創(chuàng)刊于1983年，由Elsevier出版商出版，出版周期Monthly。該刊發(fā)文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領(lǐng)域，旨在及時(shí)、準(zhǔn)確、全面地報(bào)道國(guó)內(nèi)外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領(lǐng)域的科學(xué)研究等工作中取得的經(jīng)驗(yàn)、科研成果、技術(shù)革新、學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)等。該刊已被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄，在中科院最新升級(jí)版分區(qū)表中，該刊分區(qū)信息為大類學(xué)科工程技術(shù)3區(qū)，2023年影響因子為2.6。
Microelectronic Engineering is the premier nanoprocessing, and nanotechnology journal focusing on fabrication of electronic, photonic, bioelectronic, electromechanic and fluidic devices and systems, and their applications in the broad areas of electronics, photonics, energy, life sciences, and environment. It covers also the expanding interdisciplinary field of "more than Moore" and "beyond Moore" integrated nanoelectronics / photonics and micro-/nano-/bio-systems. Through its unique mixture of peer-reviewed articles, reviews, accelerated publications, short and Technical notes, and the latest research news on key developments, Microelectronic Engineering provides comprehensive coverage of this exciting, interdisciplinary and dynamic new field for researchers in academia and professionals in industry.
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)：中科院分區(qū)是SCI期刊分區(qū)的一種，是由中國(guó)科學(xué)院國(guó)家科學(xué)圖書館制定出來的分區(qū)。主要有兩個(gè)版本，即基礎(chǔ)版和升級(jí)版。2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表推出了升級(jí)版，實(shí)現(xiàn)了基礎(chǔ)版和升級(jí)版的并存過渡；升級(jí)版是對(duì)基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn)，將期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè)，科研評(píng)價(jià)將更加明確。
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 157 / 352 |
55.5%
|
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 94 / 140 |
33.2%
|
| 學(xué)科：OPTICS | SCIE | Q2 | 45 / 119 |
62.6%
|
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 81 / 179 |
55%
|
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 179 / 354 |
49.58%
|
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 74 / 140 |
47.5%
|
| 學(xué)科：OPTICS | SCIE | Q3 | 64 / 120 |
47.08%
|
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 88 / 179 |
51.12%
|
JCR分區(qū)：JCR（Journal Citation Reports）由科睿唯安公司（前身為湯森路透）開發(fā)。JCR沒有設(shè)置大類,只將期刊分為176個(gè)具體學(xué)科，也就是中科院分區(qū)中的小類學(xué)科。基于不同學(xué)科的當(dāng)年影響因子高低進(jìn)行排序，將期刊的數(shù)量均勻分為四個(gè)部分，Q1區(qū)代表學(xué)科分類中影響因子排名前25%的期刊，以此類推，Q2區(qū)為前25%-50%期刊，Q3區(qū)為前50%-75%期刊，Q4區(qū)為75%以后期刊。
CiteScore排名：
| 學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Physics and Astronomy 小類：Condensed Matter Physics | Q2 | 127 / 434 |
70%
|
| 大類：Physics and Astronomy 小類：Atomic and Molecular Physics, and Optics | Q2 | 68 / 224 |
69%
|
| 大類：Physics and Astronomy 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 242 / 797 |
69%
|
| 大類：Physics and Astronomy 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 87 / 284 |
69%
|
| 大類：Physics and Astronomy 小類：Surfaces, Coatings and Films | Q2 | 42 / 132 |
68%
|
CiteScore值計(jì)算方式：例如2024公布的CiteScore是將統(tǒng)計(jì)在 2020年-2023年間年所發(fā)表文章的引用次數(shù)除以在 2020年-2023年間所發(fā)表的發(fā)文總數(shù)。
CiteScore數(shù)據(jù)來源：是由全球著名學(xué)術(shù)出版商Elsevier（愛思唯爾）基于其Scopus數(shù)據(jù)庫推出的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)。CiteScore指數(shù)以四年區(qū)間為基準(zhǔn)來計(jì)算每本期刊的平均被引用次數(shù)，并提供期刊領(lǐng)域排名、期刊分區(qū)的相關(guān)信息，它的作用是測(cè)量期刊的篇均影響力。
近年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
近年IF值(影響因子)趨勢(shì)圖
影響因子：是美國(guó)科學(xué)信息研究所(ISI)的期刊引證報(bào)告(JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)。指的是某一期刊的文章在特定年份或時(shí)期被引用的頻率，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)。自1975年以來，每年定期發(fā)布于“期刊引證報(bào)告”(JCR)。
| 國(guó)家/地區(qū) | 發(fā)文量 |
| CHINA MAINLAND | 104 |
| South Korea | 80 |
| France | 56 |
| USA | 47 |
| Japan | 45 |
| GERMANY (FED REP GER) | 41 |
| India | 36 |
| Taiwan | 31 |
| Greece | 27 |
| Italy | 27 |
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| Beyond the lateral flow assa... | 40 |
| 3D printed microfluidics and... | 36 |
| Brain-inspired computing wit... | 36 |
| Emerging trends in wide band... | 32 |
| Focused electron beam induce... | 29 |
| Micropumps and biomedical ap... | 25 |
| Conduction mechanisms, dynam... | 17 |
| Beyond 100 nm resolution in ... | 17 |
| Microfluidic platforms for c... | 17 |
| Using block copolymers as in... | 11 |
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| MICROELECTRON ENG | 365 |
| ECS J SOLID STATE SC | 204 |
| MICROMACHINES-BASEL | 153 |
| JPN J APPL PHYS | 148 |
| MATER RES EXPRESS | 130 |
| APPL SURF SCI | 127 |
| J MATER SCI-MATER EL | 127 |
| ACS APPL MATER INTER | 114 |
| MATERIALS | 94 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 93 |
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| MICROELECTRON ENG | 365 |
| APPL PHYS LETT | 348 |
| J APPL PHYS | 170 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 165 |
| LAB CHIP | 157 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 115 |
| SCI REP-UK | 106 |
| OPT EXPRESS | 103 |
| ADV MATER | 96 |
| J ELECTROCHEM SOC | 95 |
1、建議稿件控制10頁以上，文章撰寫語言為英語；（單欄格式，單倍行距，內(nèi)容10號(hào)字體，文稿類型包含：原創(chuàng)研究(Original Research)、案例報(bào)告(Case Report)、文獻(xiàn)綜述(Literature Review)等；文件格式包含word、PDF、LaTeX等。
2、稿件重復(fù)率控制10%以內(nèi)，論文務(wù)必保證原創(chuàng)性、圖標(biāo)、公式、引文等要素齊備，保證附屬資料的完整。已發(fā)表或引用過度的文章將不會(huì)被出版和檢索，禁止一稿多投，拒絕抄襲、機(jī)械性的稿件。
3、稿件必須有較好的英語表達(dá)水平，有圖，有表，有公式，有數(shù)據(jù)或設(shè)計(jì)，有算法（方案，模型），實(shí)驗(yàn)，仿真等；參考文獻(xiàn)控制25條以上，參考文獻(xiàn)引用一半以上控制在近5年以內(nèi)。
圖片和圖表要求：1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ，TIFF格式 使用LZW壓縮。
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4、線條不要細(xì)于0.25pt,也不能太粗，超過1.5pt,過細(xì)或過粗都影響美觀。
5、表格一般和manuscrript放置在一個(gè)word文檔里部分期刊 需要單獨(dú)上傳表格。
作者信息：1、包括作者姓名、最高學(xué)位，作者單位（精確到部門），郵箱，地址，郵編，關(guān)鍵詞，內(nèi)容，總結(jié)，項(xiàng)目基金，參考文獻(xiàn)，作者相片+簡(jiǎn)介（一定要確保作者信息準(zhǔn)確無誤，提交稿件之后這部分不能再作改動(dòng)）。
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中科院分區(qū) 4區(qū)
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