《Journal Of Crystal Growth》中文名稱：《晶體生長雜志》，創(chuàng)刊于1967年，由Elsevier出版商出版，出版周期Biweekly。

該期刊為從事晶體生長實(shí)驗(yàn)和理論方面研究及其應(yīng)用（例如在設(shè)備中）的工作者提供了通用的參考和出版資源。以下領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)和理論貢獻(xiàn)均已發(fā)表：成核和生長理論、分子動(dòng)力學(xué)和傳輸現(xiàn)象、聚合物和玻璃等粘性介質(zhì)中的結(jié)晶；金屬、礦物、半導(dǎo)體、超導(dǎo)體、磁性材料、無機(jī)、有機(jī)和生物物質(zhì)的塊體或薄膜晶體生長；分子束外延、化學(xué)氣相沉積、III-V 和 II-VI 以及其他半導(dǎo)體的生長；通過物理和化學(xué)方法表征單晶；晶體生長的裝置、儀器和技術(shù)以及凈化方法；多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其表征，重點(diǎn)是電子材料的晶體生長和外延方面。該期刊的一大特色是定期收錄有關(guān)晶體生長相關(guān)方面的研討會(huì)和會(huì)議論文集。

投稿《Journal Of Crystal Growth》需要準(zhǔn)備的文件可詳細(xì)閱讀以下要求：

文章要求：

1、建議稿件控制10頁以上，文章撰寫語言為英語；（單欄格式，單倍行距，內(nèi)容10號(hào)字體，文稿類型包含：原創(chuàng)研究(Original Research)、案例報(bào)告(Case Report)、文獻(xiàn)綜述(Literature Review)等；文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

2、稿件重復(fù)率控制10%以內(nèi)，論文務(wù)必保證原創(chuàng)性、圖標(biāo)、公式、引文等要素齊備，保證附屬資料的完整。已發(fā)表或引用過度的文章將不會(huì)被出版和檢索，禁止一稿多投，拒絕抄襲、機(jī)械性的稿件。

3、稿件必須有較好的英語表達(dá)水平，有圖，有表，有公式，有數(shù)據(jù)或設(shè)計(jì)，有算法（方案，模型），實(shí)驗(yàn)，仿真等；參考文獻(xiàn)控制25條以上，參考文獻(xiàn)引用一半以上控制在近5年以內(nèi)。

圖片和圖表要求：

1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ，TIFF格式 使用LZW壓縮。

2、文件大小最大不超過20MB，不要以單個(gè)文件的形式上傳數(shù)據(jù)。

3、彩色圖片的分辨率≥300dpi；黑白圖片的分辨率在≥500dpi；line art圖片類型的分辨率≥1000dpi；色彩模式建議采用RGB，除非期刊注明要CMYK。

4、線條不要細(xì)于0.25pt,也不能太粗，超過1.5pt,過細(xì)或過粗都影響美觀。

5、表格一般和manuscrript放置在一個(gè)word文檔里部分期刊 需要單獨(dú)上傳表格。

作者信息：

1、包括作者姓名、最高學(xué)位，作者單位（精確到部門），郵箱，地址，郵編，關(guān)鍵詞，內(nèi)容，總結(jié)，項(xiàng)目基金，參考文獻(xiàn)，作者相片+簡介（一定要確保作者信息準(zhǔn)確無誤，提交稿件之后這部分不能再作改動(dòng)）。

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